第六章CMOS集成电路的IO设计.PDFVIP

第六章 CMOS集成电路的I/O设计 微电子学系 甘学温教授 CMOSCMOS集成电路的集成电路的I/OI/O设计设计 66.11 输入缓冲器输入缓冲器 6.2 输出缓冲器 6.3 ESD保护电路 输入端ESD保护电路 输入端ESD保护电路 输出端ESD保护电路 电源的ESD保护电路 6.4 三 态输出的态输出的双向向I//O 缓冲缓冲器 ESDESD保护电路保护电路 如果果 MOS 晶体管的栅氧晶体管的栅氧化层层上有很大的电压有很大的电压，， 会造成氧化层击穿，使器件永久破坏 随着器件尺寸减小，栅氧化层不断减薄，氧化层 能承受的电压也不断下降能承受的电压也不断下降 tox ＝5nm时，VGm =5V 由于MOS晶体管的栅电容很小，积累在栅极上的 杂散电荷就能形成很大的等效栅压杂散电荷就能形成很大的等效栅压，引起器件和电引起器件和电 路失效，这就是ESD 问题（Electrosta