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光纤电压传感
卧式横向调制光纤电压传感器 * * 一、引言 光纤传感器就是利用光纤将待测量在光纤内传输的光波参量进行调制,并对被调制过的光波信号进行解调检测,从而获得待测量值的一种装置。 光纤传感器系统主要包括光源、传感器探头或传感光纤、传输光纤和光纤器件、光电探测器等 * * 二、光纤电压传感器 1.光纤电压传感器产生背景 随着电力需求的增长,对电能质量的要求不断的提高与及电力系统的超高压和大容量,使得传统的电压传感器面临许多的问题,新一种新型的电压传感器应运而生——光纤电压传感器。 * * 2.光纤电压传感器基于的几种主要原理 光学电压传感器主要是基于Pockels效应,电光Kerr效应以及逆压电效应。 2.1基于Pockels效应的光学电压传感器 Pockels效应只存在于无对称中心的晶体中,Pockels效应可表达为: δ = kE 式中δ 为由Pockels效应引起的双折射造成的两正交偏振光束在晶体中传输的相位差,E为外加电场强度,k为晶体的电光系数。 * * 横向调制光纤电压传感器,如图1.1所示。 * * 纵向调制光纤电压传感器,如图1.2所示。 * * 横向调制光学电压传感器中,晶体的半波电压Vπ与晶体的尺寸有关,减小晶体的横向厚度,加大晶体通光方向的长度,可减小半波电压,提高传感器的灵敏度。 * * 纵向调制光学电压传感器中,外加电压沿晶体通光方向施加,其所引起的Pockels效应是由晶体中沿光束方向上各处电场所引起的Pockels效应的累积。 考虑成本,测高压的要求选择横向调制。 * * 2.2 基于电光Kerr效应 电光Kerr效应是一种存在于各种光学介质中的与电场强度的二次方有关的电光效应,其表达式为: Δn=kE2 式中Δn为介质折射率的变化量,E为外加电场强度,k为与介质及通光波长有关的常数。 * * 2.3基于逆压电效应 当压电晶体受到外加电场作用时,晶体除产生极化现象以外,同时形状也产生微小变化,即产生应变,这种现象称为逆压电效应。若将逆压电效应引起的晶体形变转化为光信号的调制并检测光信号,即可实现电场(或电压)的光纤传感。 * * 三、卧式横向调制光纤电压传感器 1. 卧式横向调制光纤电压传感器的工作原理 卧式横向调制光纤电压传感器是工作原理为电光晶体Pockels效应。 即在外加电场作用下,某些各向同性的晶体变成了各向异性的双折射晶体,产生双折射,其折射率线性地随外电场变化。 * * 2.光纤电压传感器的构造 光纤电压传感器由光源、起偏器、1/ 4 波片、电光晶体、检偏器和准直透镜、光电探测器等元件构成,其结构如下图3.1所示。 * * 光源 光学电压传感器的工作光源一般是利用LED。相对LD 而言, LED 具有较长的寿命,但LED发射的光波波长受温度影响,光波波长的变化将导致电光效应中相位延迟的变化及半波电压的变化,这样会影响光学电压传感器的工作稳定性。 * * 准直器 准直器的作用是使光最大效率的偶合进入所需的器件中或易如接受光信号最大效率的接受。准直器结构很简单——光纤传出的发散光通过前置的类似凸透镜变成平行光。 * * 起偏器 起偏器产生线偏振光,我们使用偏振分光棱镜,偏振分光棱镜主要用于将S偏振和P偏振分开。 * * 入射光 ?波片位置 出射光 线偏振光 ?0o或90o 线偏振光 45o 圆偏振光 其他位置 椭圆偏振光 圆偏振光 任意位置 线偏振光 椭圆偏振光 椭圆的长(短)轴与光轴平行或垂直 线偏振光 其他位置 椭圆偏振光 四分之一玻片 我们要求进入晶体的光为圆偏振光,所以我们必须在起偏器后面加一个四分之一波片。 线偏振光要变成圆偏振光要求起偏器起偏轴与四分之一波片的光轴夹角为45°。 * * BGO晶体 BGO晶体作为传感材料是光学传感器的核心,其性能如何直接影响光学电压传感器的稳定性和灵敏度等重要指标。 选择BGO晶体因为其无自然双折射、旋光性和热释电效应,是较理想的电压传感晶体。且由于它广泛用于闪烁探测器中,易于加工,容易获得。 * * BGO晶体作用是使入射的光产生双折射。随着加入的电压大小不同,双折射两光o光和e光产生不同的相位差。 * * 检偏器 检偏器使用的也是偏振分光束棱镜。原理与起偏器是一样的。检偏器作用是产生偏光干涉和分光。 因两双折射光束的偏振方向不一致,它们不能直接产生干涉,为了检测这个相位差,利用一检偏器将这两双折射光束的偏振方向变为一致,使其
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