光电检测技术(第二章 光电检测技术基础).ppt

光电检测技术基础 杂质光电导 在掺杂半导体中，除了本征光电导外，还存在杂质光电导。对P型半导体来说，由于其受主能带靠近价带，所以价带中的电子很容易从光子吸收能量跃入受主能带，使价带产生空穴参与导电。对N型半导体来说，由于其施主能带靠近导带很近，所以施主能带中的电子很容易从光子获得足够的能量进入导带而参与导电。这是由杂质吸收所产生的杂质光电导效应。 光电检测技术基础 就光电器件而言，最重要的参数是灵敏度、弛豫时间（惰性)和光谱分布。 1、灵敏度（光电流或光电增益） 灵敏度通常指的是在一定条件下，单位照度所引起的光电流。由于各种器件使用的范围及条件不一致，因此灵敏度有各种不同的表示法。光电导体的灵敏度表示在一定光强下光电导的强弱。它可以用光电增益G来表示。 光电检测技术基础 根据定态条件下电子与空穴的产生率与复合率相等，可以得出： 光电导体的非平衡载流子寿命 越长，迁移率 越大，电极间距 足够小，灵敏度就越高。 光电检测技术基础 2、光电导的驰豫 光电导是非平衡载流子效应，因此有一定的弛豫现象：光照射到样品后，光电导逐渐增加，最后达到定态。光照停止，光电导在一段时间内逐渐消失。这种弛豫现象表现了光电导对光强变化反应的快慢。光电导上升或下降的时间就是弛豫时间，或称为响应时间(惰性)。 显然，弛豫时间长，表示光电导反应馒，这时称惯性大；弛豫时间短，即光电导反应快，称为惯性小。从实际应用讲，光电导的弛豫决定了在迅速变化的光强下，一个光电器件能否有效工作的问题。 光电检测技术基础 两种典型情况： 直线性光电导 抛物线性光电导 直线性光电导：光电导与光强成线性关系； 抛物线性光电导：光电导与光强的平方根成正比。 多数光电导器件特点：在低光强下属于直线性光电导，在较强光强下属于抛物线性光电导。 光电检测技术基础 ①直线性光电导 直线性光电导的驰豫中光电流都按指数规律上升和下降，上升和下降是对称的。 驰豫时间 ，与光强无关。 光电检测技术基础 ②抛物线性光电导 驰豫时间用 表示，光照开始时，经过这个 时间，光电导增加到定态值的0.76，光照停止后，光电导在这段时间内减少到定态值的一半。 上升、下降不对称。驰豫时间与光强有关，光强越强，驰豫时间越短。 光电检测技术基础 注： 灵敏度和驰豫时间是相矛盾的，通常要求灵敏度愈高，驰豫时间愈短。 但是实际上，灵敏度高，驰豫时间也就越长；灵敏度低，驰豫时间也就越短。 光电检测技术基础 3、光电导的光谱分布 光源选定后，根据光谱分布曲线寻找接收器件。 光谱分布曲线是等量子、等能量、等光子流的曲线。 ①本征半导体的光谱分布曲线 一个峰值，峰值后迅速下降，下降一半的波长为光电导的长波限。 光电检测技术基础 ②杂质半导体的光谱分布曲线 多个峰值，由于杂质的电离能小，对应的长波限很长，实际在红外范围。 光电检测技术基础 二、光生伏特效应 光照使不均匀半导体或均匀半导体中产生光生电子或空穴在空间分开而产生电势差的现象。 1、均匀半导体-丹倍效应 由于半导体对光的吸收而在半导体的近表面层中产生高浓度的光生非平衡电子空穴对。由于载流子浓度梯度差，两种载流子都向半导体内部扩散。电子比空穴扩散得快，从而使半导体表面带正电而内部带负电，这种现象称为光电扩散效应或丹倍效应。所产生的光电压称为光电扩散电压或丹倍电压。 光电检测技术基础 2、不均匀半导体-由势垒效应产生的光生伏特效应 不同导电类型的半导体（PN结、异质结） 金属、半导体接触形成的肖特基势垒 如：PN结，P区和N区的多数载流子就会向对方扩散。平衡时会产生一个由N区指向P区的内建电场，其势垒高度为 。 光照下，结区、P区、N区都会引起本征激发而产生电子空穴对，这样，N区光生空穴和P区光生电子—到—PN结，使PN结变窄，原来势垒降低，相当于向PN结加上一个正向电压，即光生电动势。 光电检测技术基础 三、光电发射效应 被激发的电子能逸出光敏物质的表面而在外电场作用下形成光电子流。 1、斯托列托夫定律(光电发射第一定律) 当入射光线的频谱成分不变时，光电阴极的饱和光电流 与被阴极所吸收的光通量 成正比。即： 式中， 为表征光电发射灵敏度的系数。 是用光电探测器件进行光度测量、光电转换的一个最重要的依据。 表征光电发射灵敏度的稀疏 光电检测技术基础 2、爱因斯坦定律(光电发射第二定律) 发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，而与入射光的光强无关。 3、光电发射的红限 光电子刚刚能从阴极逸