国立勤益科技大学机械工程系-勤益科大机构典藏.PDF

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2017-08-27 发布于天津
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The studies of dielectric loss and mechanical stress of barium strontium titanate thin films by adding chromium Layer ○ II ( ) ( )( ) ( ) ( ) 2013 III p (100) (Ba Sr TiO , BST) Al/(Ba Sr )TiO / 0.5 0.5 3 0.5 0.5 3 Cr/Pt/Ti/SiO /Si Cr BST 2 Cr BST BST Cr = 2 nm BST Cr 59%, 1 +62.5 kV/cm (+1 V), 35 %, 41 %, 28 % : Cr IV Abstract The effects of the thickness of the Cr seeding layer of Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) thin films grown on Pt/TiN/SiO /Si substrates on crystallographic 2 structure, surface morphology, dielectric loss, leakage current, and mechanical stress were investigated. Adding a Cr seeding layer to the interface between BST/Pt structures has a strong influence on BST film properties including dielectric loss, leakage current, the temperature coefficient of capacitance (TCC), and mechanical properties, as wel