半导体发光二极管标准.doc

半导体发光二极管 范围 本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。 本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修改版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程 试验Ca:恒定湿热试验方法(idt IEC 68-2-3:1984) GB/T 4937-1995 半导体分立器件机械和气候试验方法(idt IEC 749:1995) GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性 GB/T 17626.2-1998 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验(idt IEC 61000-4-2:1995) QMB-J10.010 关于规范RoHS标识的操作指引QMB-J10.011 逐批检查计数抽样程序及抽样表 红色发光二极管（(D ：620-660nm） 橙色发光二极管（(D ：600-620nm） 黄色发光二极管（(D ：580-600nm） 绿色发光二极管（(D ：500-577nm） 兰色发光二极管（(D ：430-480nm） 紫色发光二极管（(P ：380-410nm） 白色发光二极管（TC：3000-25000K） 按芯片材料分类 InGaAlP/GaAs GaN/ Al2O3或SiC衬底 InGaN/ Al2O3或SiC衬底 要求 静电防护工艺要求 因产品易受静电破坏，生产及运输过程中应做好静电防护工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC衬底系列静电等级要求控制在500V以下， GaN基/蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在100V以下。 封装形式及外观要求 封装形式 采用环氧树脂全包封的封装形式。 外观要求 目测环氧表面无明显发花、划伤，出光面无明显气泡、黑点，无多缺料，无明显偏支架，外引线平整，无明显锈蚀、变色及镀层脱落现象。 极限值（绝对最大额定值） 极限值（绝对最大额定值）见表1。 表1 极限值 参 数 符号 条件 额定值 单位 正向电流 IFM Tamb=（25±5）℃ 15a mA 20b 25c 30d 正向脉冲电流e IFP Tamb=（25±5）℃ 100 mA 反向电压 VR 5 V 贮存温度 TStg -40—+100 ℃ 工作温度 Tamb -25—+85 ℃ 耗散功率 PM Tamb=（25±5）℃ 75 mW 焊接温度 Tsd 10s 260 ℃ 抗静电电压 InGaAlP ESD C=150PF，R=330Ω ±500 V GaN基/Al2O3 ±100 GaN基/SiC ±1000 GaN基加齐纳 ±5000 a： IF=15mA： GaN/InGaN芯片12×12mil以下的发光二极管。 b：IF=20mA： InGaAlP芯片8×8mil以下、GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的发光二极管（白色除外）; c：IF=25mA： GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的白色发光二极管； d：IF=30mA： InGaAlP芯片9×9mil至12×12mil的发光二极管； e：脉冲宽度0.1ms，占空比1/10。 注：除非另有规定，下表的值在整个工作温度范围内适用。 光电特性 InGaAlP系列红色发光二极管光电参数 InGaAlP系列红色发光二极管光电参数应符合表2的规定。 表2 InGaAlP系列红色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）℃ 参数 符号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 参数类别 正向电压 VF IF=20mA - 2.0 2.5 V JS,LX,CP 反向电流 IR VR=5V - - 10 (( JS,LX,CP 发光强度 IV IF=20mA (3 HFR8B3×C/T× 1500 5000 mcd JS,LX,CP HFR863××× 100 1000 HFR883××× 100 1000 HFR803×××C/T×-×× 500 - 5000 HFR803×××M×-×× 100 - 5000 (5 HFR8B5×C/T× 4000