半导体器件——半导体三极管.ppt

静态电流 rb’b基区的体电阻,查阅手册 发射结电阻 rb?e rbb? b c e βib b? ib rb?e rbb? b c e gmub?e b? ib 跨导：自变量是交流电压 rce 很大，基区宽度效应 rbb? rb?e Cb?e Cb?c gmub?e b? c b e e 2)三极管的高频微变等效电路 集电结电容 发射结电容 手册查得 由fT计算得到 二极管控制开断,三极管除了控制电路的通和断外还有放大. 说明： 将内部载流子的运动是以更好地理解外特性为目的。 本节课的教学目的： 1、晶体管能够放大的内部原因和外部条件是什么？为什么在上述情况下会放大？ 2、什么是晶体管的共射输入、输出特性？温度对它们有什么影响？ 3、理解晶体管三个工作区的特点，学会判断电路中晶体管工作状态的方法。 4、掌握晶体管主要参数的物理意义。 说明： 小功率，中等功率，大功率的三极管。大一点的三极管上打孔，为什么呢？装散热器 如何判断三个管脚呢： 三极管的封装形式和管脚识别： 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极； 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。大功率三极管有两个脚，底座为第三个脚。也有三个脚 半导体三极管又称双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor） 或半导体晶体管（Semiconductor Transistor) 或简称三极管，晶体管(Transistor) 三极管的符号短粗线代表基极,发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。在三极管的电路图形符号中，有一个带箭头的引线脚，它表示三极管的发射极。其箭头方向表示电流的流向，同时也表示了三极管的极性，箭头朝外的表示为NPN型、箭头方向朝里的表示为PNP型。 ?????????????????????? 　　三极管的图形符号如图1所示。外边有一个圆圈，而且集电极与圆圈之间有一个黑点相连,表示集电极就是三极管的外壳。整个符号像个喇叭，代表他的基本作用是放大。 结构特点： 发射区掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电结面积大 发射极;Emitter 基极：Base 集电极：Collector 三极管有三个极、两个PN结、三个区。 从一组试验数据分析，和我们的分析截然相反，初始认为就是二个二极管背靠背连接，那就是两个开关，实则根本不是这回事。 试验电路：先介绍共发组态。 由实验及测量结果可以得出以下结论。 1）实验数据中的每一列数据均满足关系：IE=IC+IB； 2）每一列数据都有ICIB，而且有IC与IB的比值近似相等，大约等于58。 3）对表中任两列数据求IC和IB变化量的比值，结果仍然近似相等，约等于58。 。 三极管电流放大的条件： 三极管从表面看来像是两个二极管反向连着，三极管若实现放大，（画个图）必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 内部条件： 外部原因：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 正偏，反偏就是一个简称，在二极管里面我们说了PN结正偏，就是加上正向电压，后来我们从伏安特性曲线上获知，实际在正向电压小于开启电压时，电流还是几乎为零，所以实质上，再讲加正向电压，开关导通，这句话就不是很科学，应该将加足够的正向电压使得其导通，太麻烦，传统的称呼是这样，而且容易记忆，所以一般我们也号称加正向电压，但是大家心里要有数，就是这个电压要大于死区电压（开启电压），才行。 先突出主要矛盾，讲发射电子的运动及形成的电流；再讲少子的运动及对各极电流的影响。 外加电源保证发射结正偏:VBB的正极连在P,负连在N VCC正极连在N,保证了集电结反偏. 那么:两个PN结,两种电流. 1、发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IBN。　 　电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 复合掉的空穴由 VBB 补充，多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。 33.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC　 集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 ICN。 其能量来自外接电