单晶硅硅太阳电池制作工艺.ppt

微电子 王宇轩 单晶硅太阳电池制作工艺 过程简述 多晶硅原料 单晶硅 硅片 电池片 提拉法（CZ法） 切割 倒角 抛光 清洗 表面制绒 扩散制结 周边刻蚀 减反射膜 表面电极 提拉法制单晶硅 提拉法是1917年，由丘克拉斯基（Czochralski）发明的一种合成晶体的方法，也称“提拉法”或“CZ法”。 提拉法的原理是利用温场控制来使得熔融的原料生长成晶体。 原料熔融在坩埚中，通过温度控制，使得籽晶（晶体）与熔融晶体之间产生温度梯度，从而使熔融晶体在籽晶附近结晶，并通过旋转与提拉，逐渐生长出单晶体的过程。 提拉法制单晶硅 加热并旋转籽晶与坩埚 提拉法制单晶硅 提拉法制单晶硅 核心是 控制热场 热场：高频线圈（电阻丝）、碳 毡 工人通过控制籽晶和坩埚的转速，籽晶的提拉速度来控制结晶效果 由单晶硅锭到单晶硅片 1、切方（清洗） 2、倒角 3、切片（清洗） 4、抛光 5、清洗 6、检验 由单晶硅锭到单晶硅片 切割 使用高强度的钢丝及加了SiC粉的砂浆进行切割 由单晶硅锭到单晶硅片 最初的硅锭 切方并倒角 切片 由单晶硅锭到单晶硅片 抛光 使用毛刷机，为了去除硅片表面由切割引起的一些表面损伤，使表面表面较为平整 清洗 使用一系列的溶液对硅片进行更彻底的清洗，去除硅片表面的杂质，如有机物、金属离子等，同时去除硅片表面的一些缺陷 检验 对硅片进行初步的检验，主要检测表面清洁程度和缺陷 由硅片到太阳电池片 1、表面制绒 2、扩散制结 3、清洗 4、周边刻蚀 5、减反射膜 6、印刷上下电极 7、快速烧结（合金） 由硅片到太阳电池片 表面制绒 表面制绒是利用硅的各向异性，使用溶液对硅片进行腐蚀，形成微小的金字塔形结构，以提高光的吸收 由硅片到太阳电池片 表面制绒工序 1、粗抛 2、漂洗 3、碱腐蚀（NaOH和异丙醇） 4、盐酸清洗 5、HF清洗 由硅片到太阳电池片 表面制绒 由硅片到太阳电池片 扩散制结 扩散制结实际上就是对硅片进行磷掺杂，产生N型区，与硅片本身的P型形成PN结，实现太阳电池的功能。 我们采用的是管式扩散炉。 掺杂P源采用POCl3（三氯氧磷） 使用氮气作为载气和保护气 温度约为850~900摄氏度 由硅片到太阳电池片 扩散制结 由硅片到太阳电池片 扩散制结主要步骤 1、预氧化（表面氧化一层SiO2减少死层 即减少处于间隙态的P原子） 2、P扩散（制作N型区） 3、二次扩散（使PN结更加均匀，吸杂） 由硅片到太阳电池片 由硅片到太阳电池片 扩散后清洗 主要去除SiO2，少量表面的Si ，和一些杂质离子 由硅片到太阳电池片 周边刻蚀 扩散时，会在硅片周边也形成N型区，太阳电池工作时会产生短路环，所以必须去除 使用等离子干法刻蚀 条件：真空、射频电源，反应气体为CF4 等离子体轰击硅片边缘，刻蚀掉形成的N型区 由硅片到太阳电池片 减反射膜 使用PECVD法在硅片表面沉积一层SiN PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)，即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积。 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜SiNx:H 。 由硅片到太阳电池片 减反射膜 由硅片到太阳电池片 印刷上下电极 丝网印刷是电池片的最后一道工序，主要目的是 对背电极、背电场、正电极的印刷，然后经过烘干和 烧结，对浆料内的有机物进行挥发,形成良好的欧姆接触。 正面： Ag背电极和Al背电场 底面： Al上电极 由硅片到太阳电池片 丝网印刷原理： 控制流体的运动。利用丝网图形部分网孔透浆料，非图文部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷。 开始前，丝网上的浆料不会自行流动而漏过丝网。随后，随着刮刀的挤压作用，浆料流过网孔，从而与硅片接触。刮刀走过后，丝网回弹，留下附