单片机课程设计——热敏电阻测温电路设计.doc

课程题目：热敏电阻测温电路的设计 院 系：机电汽车工程学院 班 级：机101-4 学生姓名： 学 号： 小组成员： 指导教师：姜风国 目录 一、设计目的、要求及方案选择 -----------------------------------------------------(2) 1、设计要求 ---------------------------------------------------------------------------(2) 2、设计方案的选择 --------------------------------------------------------------------(2) 二、硬件系统各模块电路的设计 ---------------------------------------------------（3） 1、单片机系统的设计 ---------------------------------------------------------------（3））、设计、 本文设计一个采用热敏电阻为敏感元件的温度测量显示系统，温度显示范围为0-100，显示分辨率0.1 。利用，AT89C51是一种带4K字节FLASH存储（FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory）的低电压、高性能CMOS 8位微处理器，俗称单片机单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除1000次。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造，与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪存储器组合在单个芯片中，ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器，为很多嵌入式控制系统供了一种灵活性高且价廉的方案。VCC：供电电压。　GND：接地P0口：P0口为一个8位漏开路双向I/O口，每脚可吸收8TTL门电流。当P0口的管脚第一次写1时，被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的八位。在FIASH编程时，P0 口作为原码输入口，当FIASH进行校验时，P0输出原码，此时P0外部必须被拉高。P1口：P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口，P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后，被内部上拉为高，可用作输入，P1口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时，P1口作为八位地址接收。P2口：P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2口缓冲器可接收，输出4个TTL门电流，当P2口被写“1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作为输入时，P2口的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时，P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。P3口：P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口，可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入，由于外部下拉为低电平，P3口将输出电流（ILL）这是由于上拉的缘故。3.0 RXD（串行输入口）3.1 TXD（串行输出口）3.2 /INT0（外部中断0）3.3 /INT1（外部中断1）3.4 T0（器0外部输入）P3.5 T1（器1外部P3.6 /WR（外部数据存储器写选通）P3.7 /RD（外部数据存储器读选通P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。RST：复位输入。当振荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。/EA/VPP：当/EA保持电平时，则在此期间外部程序存储器（0000H-FFFFH），不管是否有内部程序存储器。注意加密方式1时，/EA将内部锁定为RESET；当/EA端保持高电平时，此间内部程序存储器。在FLASH编程期间，此引脚也用于施加12V编程电源（VPP）。XTAL1：反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入 XTAL2：来自反向振荡器的输出。 　　XTAL1和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器可以配置为片内振荡器。石振荡和陶瓷振荡均可采用。如采用外部时钟源驱动器件，XTAL2应不接。有余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器，因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求，但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。Co、Mn、Ni　　 2、 阻值范围宽：0.1-1000K 　　 3、 阻值精度高。