广工 第三章 门电路.pptVIP

（2） 应用举例 CMOS模拟开关 　 C = 0时，TG1导通、TG2截止，uO = uI1； C = 1时，TG1截止、TG2导通，uO = uI2。 　 ① CMOS模拟开关：实现单刀双掷开关的功能。 (a)电路 (b) 逻辑符号 当EN= 0时，TG导通，F=A； 当EN=1时，TG截止，F为高阻输出。 ② CMOS三态门 3.2 TTL逻辑门电路 双极型三极管的两种类型 (a)NPN型 (b)PNP型 ②ui0V时，发射结正偏，集电结反偏，三极管工作在放大状态； ①ui0V时，发射结反偏，集电结反偏，三极管工作在截止状态； ③ui0V时，发射结正偏，集电结正偏，三极管工作在饱和状态。 3.2.1、三极管的开关特性 ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － 截止状态 饱和状态 iB≥IBS ui=UIL0.5V uo=+VCC ui=UIH uo=0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － 0.7V 0.3V 饱和区 截止区 放 大 区 iB≈0 数字电路中，三极管作为一个由基极电流控制的无触点开关： 饱和： Vce≈ 0，C、E间相当于开关闭合。 截止：Vce≈Vcc， C、E间相当于开关断开。 开通时间：截止 饱和，建立基区电荷的时间。 关闭时间：饱和 截止，基区存储电荷消散的时间。饱和程度 越深，所需时间越长。 3.2.2 TTL反相器的工作原理 1. 电路组成 TTL反相器的基本电路 (1) 输入级 N P N 　　当输入低电平时， uI=0.3V，发射结正向导通， uB1=1.0V 　　当输入高电平时， uI=3.6V，发射结受后级电路的影响将反向截止。 uB1由后级电路决定。 N N P (2) 中间级 反相器VT2 实现非逻辑 反相输出 同相输出 向后级提供反相与同相输出。 输入高电 压时饱和 输入低电压时截止 (3) 输出级（推拉式输出） VT3为射极跟随器 低输入 高输入 饱和 截止 低输入 高输入 截止 导通 （1） 当输入低电平时， uI=0.3V，VT1发射结导通，uB1=0.3V+0.7V=1V， VT2和VT4均截止， VT3和VD导通。 输出高电平 uO =VCC -UBE3-UD ≈5V-0.7V-0.7V=3.6V 1V 3.6V 0.3V 2. 工作原理 （2）当输入高电平时， uI=3.6V， VT1处于倒置工作状态， 集电结正偏，发射结反偏， uB1=0.7V×3=2.1V， VT2和VT4饱和， 输出为低电平uO=0.3V。 2.1V 0.3V 3.6V (3) 采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力 VT3组成射极输出器，优点是既能提高开关速度，又能提高负载能力。 当输入高电平时，VT4饱和，uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V，VT3和VD截止，VT4的集电极电流可以全部用来驱动负载。 当输入低电平时，VT4截止，VT3导通(为射极输出器)，其输出电阻很小，带负载能力很强。 可见，无论输入如何，VT3和VT4总是一管导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，带负载能力很强。 3.2.3 TTL反相器的电压传输特性及参数 TTL反相器电路的电压传输特性 截止区 线性区 转折区 饱和区 VT4截止，称关门 VT4饱和，称开门 3.2.4 TTL与非门 实际的与非门器件 1 7 14 8 74LS00 2输入4与非门 1 7 14 8 74LS30 8输入与非门 * 第3章 逻辑门电路 3.1 MOS逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门电路 3.3 逻辑描述中的几个问题 3.4 逻辑门电路使用中的实际问题 3.1 MOS逻辑门电路 一. 集成门电路的几种分类 集成门电路按其内部有源器件的不同可以分为三大类： 　　第二类为单极型MOS集成门电路，包括NMOS、PMOS、LDMOS、VDMOS、VVMOS、IGT等几种类型； 　第一类为双极型晶体管集成门电路，包括TTL(晶体管――晶体管逻辑电路)，ECL(射极耦合逻辑)电路和I2L(集成注入逻辑)电路等几种类型； 　　第三类则是二者的组合BICMOS门电路。 常用的是CMOS集成门电路。 3.1.1 概述 二.几种集成门电路的特点 　　1. TTL集成门电路工作速度高，驱动能力强，但功耗大，集