微型计算机原理存储器(15-16).pptVIP

* 应用举例: D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR D0~D7 G1 G2A G2B C B A A19 A14 A13 A17 A16 A15 +5V Y0 下图中A18不参与译码，故6264的地址范围为： 38000H~39FFFH 78000H~79FFFH 6264 * 2. 典型芯片 (1)、静态数据存储器（SRAM） 有两种操作：读操作和写操作。 常用的SRAM有： 6116（2Kx8) 211X8bit 6232 (4KX8) 212X8bit 6264 (8KX8) 213X8bit 62128(16KX8) 214X8bit 62256 (32KX8) 215X8bit 适用于较小系统。 这类存储器，数据线为8条，容量不同地址线不同。容量与地址线的关系为2n x8bit，n为地址线根数。每个地址单元存储8为二进制信息。只要不掉电，信息会稳定保持，不需要刷新。 * SRAM芯片HM 6116(简称6116） 11条地址线，8位数据线，3条控制线，两条电源线，单片存储容量2K×8 。 * (2)、动态随机存储器DRAM 特点： ⑴DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 ⑵刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒。 ⑶DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。 ⑷DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 * 典型DRAM芯片2164A 2164A (64KX1) 216X1bit 8条地址线，2位数据线(输出和输入），3条控制线，两条电源线，单片存储容量64K×1 。 地址线采用分时复用，由CAS（列选通）和RAS（行选通），从而实现16位地址线，M＝216 ＝64K。 地址线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。 1 0 0 0 1 0 0 0 列地址 * 主要引线 RAS：行地址选通信号，用于锁存行地址； CAS：列地址选通信号。 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在RAS和CAS有效期间被锁存在地址锁存器中。 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 WE=0 数据写入 WE=1 数据读出 WE：写允许信号 * (3) 典型EPROM EPROM 2764 (8KX8) 213X8bit 其引脚与SRAM 6264完全兼容。 地址信号：A0 ~ A12 数据信号：D0 ~ D7 输出信号：OE 片选信号：CS 编程脉冲输入：PGM * (4) 典型E2PROM芯片2864A 8K×8bit芯片 13根地址线（A0 ~ A12） 8位数据线（D0 ~ D7） 输出允许信号（OE） 写允许信号（WE） 选片信号（CE） 状态输出端（READY/BUSY） * E2PROM的应用 可通过编写程序实现对芯片的读写，但每写入一个字节都需判断READY/BUSY 端的状态，仅当该端为高电平时才可写 入下一个字节。 * (5)、闪速E2PROM 特点： 通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式，而非用引脚的信号来控制芯片的工作。 应用 便携式闪存硬盘 (6)、串行E2PROM ——I2CEEPROM 24C01/24C02/24C04 93C46/93C56/93C66 * 4.3、 存储器扩展技术 位扩展——扩展每个存储单元的位数。 字扩展——扩展存储单元的个数。 字位扩展——二者的综合。 用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅有一片（或一组）被选中。 * 位扩展例 例、用8片2164A芯片构成64KB（64Kx8bit）存储器。 2164A: 64K x 1，需8片构成64K x 8（64KB） LS138 A16~A19 2164A 2