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- 2017-08-31 发布于天津
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07半导体物理2.ppt
(2)结合特性: 强极性共价键化合物;离子性比闪锌矿强 ∴形成闪锌矿结构,包括III-Ⅴ 族的AlN,InN等 Ⅱ-Ⅵ 族的ZnS,ZnC,ZnSe,CdS等 4,NaCl结构: 异类原子组成的两个面心 相互位移1/2100后套构而成 右图:NaCl晶胞 § 1.2半导体中的能带和电子状态 一.半导体中的能带结构: 1.简并原子能级:原子相距足够远→孤立原子→每个原子具有相同的电子 能级结构,简并电子能级 2.能级分裂:以H2 为例:两个H原子相互靠拢形成分子时 1s能级分裂成对称 Es 和反对称Ea ; σ* 1s Es 2 Eo , Ea 2 Eo 1s 1s 3.组成晶体:原子间距减小, m→相互作用增强→ 最外层电子云发生交叠→能级分裂,解除简并→ σ1s 相同的原子能级分裂成具有不同能量值的若干能级 4.能带:N个原子( )组成晶体→孤立原子的每个能级 分裂成N个不同的能级 →N很大,每个孤立原子的电子能级分裂成的不同能级差别很小 →形成一组能量上准连续的能级→允许能带 5.禁带Eg:由不同原子能级分裂形成的相邻允许能带间,隔着禁止能带 例,金刚石的能带结构: 孤立原子:四个价电子2S2和2P2 →N个孤立原子,4N个价电子经杂化 N个S态电子, 3N个P态电子 → SP3 杂化后重新组成为2个能带 每个能带包含2N个状态,总数为4N 下面能带能容纳 2N*2 = 4N个电子→ 价带 上面的能带是空的, → 导带 对金刚石:Eg大,室温时导带空,不导电,绝缘体 对Si,Ge:Eg小,室温时导带有激发电子→ 半导体 能带特点:内层电子云交叠小→形成的能带窄 外层电子云交叠大→形成的能带宽 (2) 布洛赫波: 其中 为自由电子波函数 而平移矢量 为晶格矢量 特点:1, 表明布洛赫波的振幅受到晶格周期势场的调制 2, 表明晶格中的价电子不再是局域化的,其运动可扩展于 整个晶体。即 反映晶格电子共有化运动,即为准自由电子 3゜波包的振幅: 几率受到周期调制 2. E--k关系:考虑一维的情况,此时 a:x 轴晶格常数; m:整数 先求解一维薛定谔方程 可得P.13 Fig1-10(a)的E~k关系 1, k 可取实数,k不同,晶内电子能量不同 E(k) 2, 禁带和允带: a, 禁带: →能量不连续 如图P.13 F.1-10(a)和(c) 能量不连续变化,形成禁带 b, 允带:能量可取值的区域,又称为布里渊区
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