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  • 2017-08-31 发布于天津
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2010年新瓷器时代.doc

2010年新瓷器時代-LED陶瓷散熱方案   时间:2010-11-01 浏览1813?次 【字体:大 中 小】 ????璦司柏電子為因應高功率 led 照明世代的來臨,致力尋求高功率 LED 的解熱 方案,近年來,陶瓷的優良絕緣性與散熱效率促使得 LED 照明進入了新瓷器時 代。LED 散熱技術隨著高功率 LED 產品的應用發展,已成為各家業者相繼尋求解 決的議題,而 LED 散熱基板的選擇亦隨著 LED 之線路設計、尺寸、發光效率…等 條件的不同有設計上的差異,以目前市陎上最常見的可區分為(一)系統電路板, 其主要是作為 LED 最後將熱能傳導到大氣中、散熱鰭片或外殼的散熱系統,而列為系統電路板的種類包括:鋁基板(MCPCB)、印刷電路板(PCB)以及軟式印刷電路 板(FPC)。(二)LED 晶粒基板,是屬於 LED 晶粒與系統電路板兩者之間熱能導出的 媒介,並藉由共晶或覆晶與 LED 晶粒結合。為確保 LED 的散熱穩定與 LED 晶粒的 發光效率,近期許多以陶瓷材料作為高功率 LED 散熱基板之應用,其種類主要包 含有:低溫共燒多層陶瓷(LTCC)、高溫共燒多層陶瓷(HTCC)、直接接合銅基板 (DBC)、直接鍍銅基板(DPC)四種,以下本文將針對陶瓷 LED 晶粒基板的種類做深 入的探討。 2、陶瓷散熱基板種類 現階段較普遍的陶瓷散熱基板種類共有 LTCC、HTCC、DBC、DPC 四種,其中 HTCC 屬於較早期發展之技術,但由於其較高的製程溫度(1300~1600℃),使其電 極材料的選擇受限,且製作成本相當昂貴,這些因素促使 LTCC 的發展,LTCC 雖 然將共燒溫度降至約 850℃,但其尺寸精確度、產品強度等技術上的問題尚待突 破。而 DBC 與 DPC 則為近幾年才開發成熟,且能量產化的專業技術,但對於許 多人來說,此兩項專業的製程技術仍然很陌生,甚至可能將兩者誤解為同樣的製 程。DBC 乃利用高溫加熱將 Al2O3 與 Cu 板結合,其技術瓶頸在於不易解決 Al2O3 與 Cu 板間微氣孔產生之問題,這使得該產品的量產能量與良率受到較大的挑 戰,而 DPC 技術則是利用直接披覆技術,將 Cu 沉積於 Al2O3 基板之上,其製程 結合材料與薄膜製程技術,其產品為近年最普遍使用的陶瓷散熱基板。然而其材料控制與製程技術整合能力要求較高,這使得跨入 DPC 產業並能穩定生產的技術門檻相對較高,下文將針對四種陶瓷散熱基板的生產流程做進一步的說明,進而更加瞭解四種陶瓷散熱基板製造過程的差異。 2-1 LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic) LTCC 又稱為低溫共燒多層陶瓷基板,此技術須先將無機的氧化鋁粉與約 30%~50%的玻璃材料加上有機黏結劑,使其混合均勻成為泥狀的漿料,接著利用 刮刀把漿料刮成片狀,再經由一道乾燥過程將片狀漿料形成一片片薄薄的生胚,然後依各層的設計鑽導通孔,作為各層訊號的傳遞,LTCC 內部線路則運用網版印刷技術,分別於生胚上做填孔及印製線路,內外電極則可分別使用銀、銅、金 等金屬,最後將各層做疊層動作,放置於 850~900℃的燒結爐中燒結成型,即可 完成。詳細製造過程如圖 1 LTCC 生產流程圖。 图1:LTCC生产流程图 2-2 HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic) HTCC 又稱為高溫共燒多層陶瓷,生產製造過程與 LTCC 極為相似,主要的差 異點在於 HTCC 的陶瓷粉末並無加入玻璃材質,因此,HTCC 的必須再高溫1300~1600℃環境下乾燥硬化成生胚,接著同樣鑽上導通孔,以網版印刷技術填孔與印製線路,因其共燒溫度較高,使得金屬導體材料的選擇受限,其主要的材 料為熔點較高但導電性卻較差的鎢、鉬、錳…等金屬,最後再疊層燒結成型。 2-3 DBC (Direct Bonded Copper) DBC 直接接合銅基板,將高絕緣性的 Al2O3 或 AlN 陶瓷基板的單陎或雙陎覆 上銅金屬後,經由高溫 1065~1085℃的環境加熱,使銅金屬因高溫氧化、擴散與 Al2O3 材質產生(Eutectic) 共晶熔體,使銅金與陶瓷基板黏合,形成陶瓷複合金屬基板,最後依據線路設計,以蝕刻方式備製線路,DBC 製造流程圖如下圖 2。 2-4 DPC (Direct Plate Copper) DPC 亦稱為直接鍍銅基板,以璦司柏 DPC 基板製程為例:首先將陶瓷基板做 前處理清潔,利用薄膜專業製造技術-真空鍍膜方式於陶瓷基板上濺鍍結合於銅金屬複合層,接著以黃光微影之光阻被覆曝光、顯影、蝕刻、去膜製程完成線路 製作,最後再以電鍍/化學鍍沉積方式增加線路的厚度,待光阻移除後即完成金 屬化線路製作,詳細 DPC

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