模电第1单元.ppt

黄河水利职业技术学院 曾令琴 实验结论 1）晶闸管的导通条件：在晶闸管的阳极和阴极两端加正向电压，同时在它的门极和阴极两端也加正向电压，两者缺一不可。 2）晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，因此门极所加的触发电压一般为脉冲电压。晶闸管从阻断变为导通的过程称为触发导通。门极触发电流一般只有几十毫安到几百毫安，而晶闸管导通后，可以通过几百、几千安的电流。 3）晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小 于维持电流IH。 本章学习结束，希望同学们对本章内容予以重视，因为这是模拟电子技术课程的基础部分。 Goodbye! 复合管的类型 由哪个管子决 定？ 复合管和普通三极管相比，具有哪些特点？通常用于哪些场合？ 三极管起电流放大作用，其内部、外部条件分别要满足哪些？ 使用三极管时，只要①集电极电流超过ICM值；②耗散功率超过PCM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。上述说法哪个是对的？ 用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数 据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是 锗管？它们各工作在什么区域？ UBE＝0.7V，UCE＝0.3V； UBE＝0.7V，UCE＝4V； UBE＝0V，UCE＝4V； UBE＝－0.2V，UCE＝－0.3V； UBE＝0V，UCE＝－4V。 NPN硅管，饱和区 NPN硅管，放大区 NPN硅管，截止区 PNP锗管，放大区 PNP锗管，截止区 1.4 单极型半导体三极管FET 双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的 电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之 为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流 子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用 输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。 上图所示为单极型三极管产品实物图。单极型管可分为结型和绝缘栅型两大类，其中绝缘栅型场效应管应用最为广泛，其 中又分增强型和耗尽型两类，且各有N沟道和P沟道之分。 1.4.1 单极型三极管概述 1.4.1 单极型三极管概述 单极型三极管可用英文缩写FET表示，与双极型三极管BJT相比，无论是内部的导电机理还是外部的特性曲线，二者都截然不同。FET属于一种新型的半导体器件，尤为突出的是：FET具有高达107~1015的输入电阻，几乎不取用信号源提供的电流，因而具有功耗小，体积小、重量轻、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。这些优点扩展了单极型三极管的应用范围，单极型三极管在工程实际中通常用于： ①放大； ②在多级放大器输入级用作阻抗变换； ③用作可变电阻； ④用作恒流源； ⑤用作电子开关。 1.4.2 场效应管的基本结构组成 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 二氧化硅(SiO2)绝缘保护层 两端扩散出两个高浓度的N区 N区与P型衬底之间形成两个PN结 由衬底引出电极B 由高浓度的N区引出的源极S 由另一高浓度N区引出的漏极D 由二氧化硅层表面直接引出栅极G 杂质浓度较低，电阻率较高。 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 大多数管子的衬底在出厂前已和源极连在一起 铝电极、金属 （Metal） 二氧化硅氧化物 （Oxide） 半导体 （Semiconductor) 故单极型三极管又称为MOS管。 MOS管电路的连接形式 N+ N+ P型硅衬底 B D G S + － UDS + － UGS 漏极与源极间 电源UDS 栅极与源极间 电源UGS 如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异。 不同类型MOS管的电路图符号 D S G B衬底 N沟道增强型图符号 D S G B衬底 P沟道增强型图符号 D S G B衬底 N沟道耗尽型图符号 D S G B衬底 P沟道耗尽型图符号 由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。 虚线表示 增强型 实线表示 耗尽型 1.4.3 场效应管的工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。