ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备mo薄膜性能的影响 effects of argon pressure on properties of mo films prepared by direct current pulse magnetron sputtering.pdfVIP

第4期 微细加工技术 №．4 2008年8月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Aug．，2008 文章编号：1003-8213(2008)04-0035．04 Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响 朱继国，丁万昱，王华林，张树旺，张粲，张俊计，柴卫平 (大连交通大学材料科学与工程学院光电材料与器件研究所，辽宁大连116028) 摘要：利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、x射 线衍射仪、紫外．可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响，结果表明。在低的Ar气压强 下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大，薄膜结晶质量好，薄膜具有优良的光电性能，Af气压强的增加将导致薄膜的晶粒 尺寸减小，薄膜结晶质量差，结构疏松，从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0．4Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为 21．02 nm，电阻率最低，为14m·cm，波长190am一850am范围内的平均反射率可达到66．94％。 关键词：Mo薄膜；直流脉冲磁控溅射；晶粒尺寸；光电性能 中图分类号：TN304．055文献标识码：A 1引言 本文采用直流脉冲磁控溅射方法(DC．PMS)制备太阳电 池背接触Mo薄膜，在保证其他工艺参数不变的前提下，研究 了工作气压对Mo薄膜生长特性、结构、表面形貌以及光电性 Mo薄膜作为Cu(In，Ga)se2(cIGs)薄膜太阳电池的背接 触(backcontact，BC)层，其性能的好坏会直接影响到吸收层能的影响。 CIGS薄膜的形核、生长以及表面形貌，进而对电池性能产生 2实验 重要影响…1。因此，要获得高质量的CIGS薄膜太阳电池器 件，其Bc材料必须具备多方面的优异性能幢J：首先，应具有 一定的惰性，以抵抗吸收层CIGS薄膜沉积过程中高腐蚀性薄膜。衬底选用普通钠钙玻璃(SLG)，依次经丙酮、酒精、去 气氛的影响；其次，要具有阻隔性能，以阻止衬底表面的杂质 离子水超声清洗，时间各10min，然后经氮气吹干，标记台阶 扩散进入吸收层；再者，要具有低的电阻率，以便与P型CIGS后，立即放入真空室。溅射靶材是纯度为99．95％的金属Mo 薄膜形成良好的欧姆接触，降低界面处的少子(电子)复合率， 靶，脉冲电源为AE公司生产的直流脉冲电源，靶材与衬底之 这是保证所制备器件具有良好电学性能的基础；最后，BC材 x 间的平行距离(靶基距)为110mm，真空室本底真空为6 料还必须具有高的光反射率，从而在最大程度上降低光的损 lO．4 Pa，工作气体为高纯Ar(99．99％)，通过流量显示仪和插 失。文献报道过的Bc材料主要有Pt，cr，V，Ag，Ni，舢，cu和 板阀调节气体流量，使真空室内压强分别为0．4Pa，0．6Pa。 Mo等[2-5】。相比于其它材料，Mo薄膜可以在最大限度上满 0．8 Pa和2．4 Pa，I．2Pa，1．6Pa，2．0 Pa。样品沉积前，先将 足上述提到的各种性能要求，因此Mo薄膜成为CIGS薄膜太