a-silicon剩余厚度和tft特性的关系研究 relationship of a-silicon remained thickness and tft characteristic.pdfVIP

郑载润等：a-silicon剩余厚度和T盯特性的关系研究 文章编号：1006-6268(2008)08—0039加5 a一 纹 术 交 特性的关系研究 流 郑载润，崔捷，董宜萍，李伟，李正勤。李斗熙 (北京京东方光电科技有限公司，北京100176) 摘 过调整刻蚀时间，研究a—Silicon剩余厚度对TFT特性的影响。并通过在线电学特性测试设备 素。而TFTCha衄el的真正形成也是在L：a—Silicon层。所以整个实验过程中需要考虑一点是 Silicon曾被完全去除．所以实验中的时间选定必须从某个定点开始。实验结果说明当H：a— Silicon的剩余厚度为10．8％时TFT特性明显变差。那么可以保守的得出：在其它条件不变的情 变差。即工作电流变小、开启电压变大、漏电流和迁移率没有明显差异。 关键词：非晶硅；薄膜晶体管特性；工作电流；漏电流；开启电压；迁移率 中图分类号：TN32 文献标识码：A TFT Ofa—SiI．cOnRemainedThicknessand ReIatiOnship CharacteriStiC ZHENG D0u—xi Zai—run，CUIJie，DONG Wei，LIZheng—qin，LI Yi—pjng，LI BOE 1001 76，China) (BeUingOptoeIectronicsTechnologyCo．，Ltd．BeUjng been in ofa—SiI．conandTFTcharacteristichas studied AbStraCt：ReIationship SF6一C12pIasma a—Siliconhasbeenmeasuredatdifferent at200mtorr．theremainedthicknessofchanneI TFTcharacteristicbeenmeasuredEPM out etchtime，andthe have here， by System．Point thea—SiliconofchanneI frOmthree ofmater．aI department layers L：a