a-si厚度对tft开关特性的影响 effect of a-silicon thickness on tft characteristic.pdfVIP

闫方亮等 ：a—Si厚度对 TFT开关特性的影响 文章编号 ：1006—6268(2011)07—0023—06 a—Si厚度对TFT开关特性的影响 闰方亮，沈世妃 ，侯 智 ，刘祖宏，郑载润。刘 锋 。李斗熙 (合肥京东方光电科技有限公司 ，安徽合肥 230012) 摘 要：通过在线电学测试设备，研究了不同 si厚度对TFT开关电学特性的影响 本试验通过调 整刻蚀时间改变沟道 内a-Si的剩余厚度 ，在此基础上找 出电学特性比较稳定的区域和电学特性变 差的临界点。试验结果表明，在其它条件不变的情况下，a—si剩余厚度在33-61％时TET的电学特性 比较好，a—si剩余厚度小于33％~-后，TFT的电学特性变差，即工作电流变小，阈值电压变大，迁移率 变小 。 关键词 ：TFT；a—si厚度 ；电学特性 ；工作 电流；阈值 电压 ；迁移率 中图分类号 ：TN141．9 文献标识码 ：B Effectof iliconThicknessonTFTCharacteristic YAN Fang-liang，SHEN Shi—fei，HOUZhi，LIU Zu-hong，ZHENG Zai-run，LIU Feng， LlDOU--Xi (HefeiBOEOptoelectronicsTechnologyCo．，Ltd．，HefeiAnhui230012，China) Abstract：The ElectricaICharacteristicsofTFTwithdifferenta-Siremainedthicknesswas studiedbytheonlineElectricaItestequipment．Inthisexperiment，a—Siremainedthickness wasmodified bydifferentetchtime．The stableareaandpoorpointoftheTFT electrical propertieswerefoundinthisexperiment．Resultsshow that．whileotherconditionsinvariable， betterelectricaIpropertieswereobtainedwhena-SiremainedthicknessiSintherangeof 33~61％ ，W henIowerthan33％ ，theTFTSelectficaIcharacteristicsbecomepoor,thatiS， operatingcurrentandmobilitybecomesmall，thresholdvoltagebecomelarge． Keywords：TFT；a-Sithickness；electricalcharacteristic；Ion；Vth；Mob 引 言 容量 、高清晰度和高品质全彩色视频显示 ，成为 目 前 平 板 显 示 技 术 的 主 导 和 研 究 开 发 热 点 ， 在显示技术领域 ，以液 晶显示 (LCD)为代表 a-SiliconTFT作 为阵列 的开关元件 ，其 良好 的性 的平板显示 (FPD)已经取代传统 的、体积笨重的 能对 LCD 的显示质量具有至关重要 的作用 。为了 CRT显示并 占据主流地位 ，涵盖 了从手机 到大尺 得到最佳 的特性 ，除了改进用于制造 a—SiTFT的 寸 电视在 内的各种显示应用领域 ，其 中非晶硅薄 材料、TFT的几何结构最优化外，a—SiTFT激活层 膜 晶体管液 晶显示器 (a-SiliconTFTLCD)以其大 的厚度也应该考虑 ，因此我们通过研