ausi基片上沉积bi1.5zn1.0nb1.5o7 study on dielectric properties of thin films on ausi substrate.pdfVIP

纳米材料与结构 NanomateriaI{；t Structure；。；：：；：。：：：：：。：：：：；；：：：；。。。：：：：：：：；。。；：，：；：：：：；：。。。。：：：：：：：==；=====：==，。：：：：：；：：=。，。。：：：一 07 Au／Si基片上沉积Bil．5Znl．oNbl．5 薄膜介电性能的研究 齐增亮 蒋书文，李言荣 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054) 摘要：采用磁控溅射法在Au／Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi。．；Zn∽Nb¨0，)薄膜。在基片 温度200℃、本底真空1×10_3Pa条件下，BZN靶溅射0．5h，作为自缓冲层；然后在400℃下 am，650℃原位真空退火1 溅射1．5h，薄膜总厚度为200 h。XRD分析显示该薄膜为222)单 一取向，结晶良好；AFM扫描显示表面平整；测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。 实验证明，选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高，实验得到介电常数可调率约 20％、损耗为0．002～0．004。 关键词：铌酸锌铋(BZN)薄膜；射频磁控溅射；介电性能；可调率；损耗 onDielectric of Study Properties ThinFilmson Substrate Au／Si Shuwen，Li QiZengliang，JiangYanrong (State EletronicThinFilmand Device， of Integrated KeyLaboratory EletronicScienceand 610054，China) ofChina，Chengdu Universityof Technology filmswithabuffer were Abstract：BZN(Bil．5Znl．oNbt．507)thin layer depositedbyfacingmag— X thin netron fromBZNonto substratesat200℃and1 103Pafor0．5h．The sputtering Au／Si hand in annea— filmwith200nmtotalthicknesswas at400℃for1．5 situ prepared subsequent thatBZNthinfilm at650℃for1 diffraction(XRD)shows ling h．X—