esd保护器件ggnmos二次击穿前的建模 modeling of esd protection device ggnmos before second breakdown.pdfVIP

第38卷第5期 微电子学 V01．38，No．5 2008年10月 Microelectronics Oct．2008 刘瑶1’2，姚若河2，高英俊1 (1．广西大学物理科学与工程技术学院。南宁530004；2．华南理-F大学微电子研究所，广州510640) 摘要： 次击穿前GGNMOS的器件级模型，并给出了相应的参数提取方法；实现了输入工艺参数等到模型 中，即可仿真GGNMOS二次击穿前的}V特性。通过与TLP实际测试结果的比较，证实了所推 导模型的可行性。 关键词： ESD保护器件；GGNMOS；数值建模；大电流效应 中图分类号：TN406 文献标识码：A of ESDProtectionDeviceGGNMOSBeforeSecondBreakdown Modeling LIU Ya01一，YAORuohe2，GAO Yingjunl (1．College Scienceand 530004，P．R．China； ofPhysics EngineeringTechnology，GuangxiUniversity，Nanning，Guangxi China 2．InstituteofMicroelectronics，Southof 510640，P．RChina) UniversityTechnology．Guangzhou，Guangdong Based before Abstract： onthebehaviorofGGNMOSunderESDeonditions，device-levelmodelsofGGNMOS second werebuiltontheinternal the methodswere breakdown physical related extraction process，and parameter characteristicsofGGNMOSbeforesecondbreakdowncouldbesimulated。when were giyen．Fy processparameters intothemodelThe ofthe modelshasbeenconfirmed TLPtestresultswith input feasibilityproposed bycomparing simulationresult8． ESD currenteffect Keywords： device；GGNMOS；Numerical protection modeling；High EEACC：0170N；2560B 引 言 行模拟仿真，得到了与TLP测试结果相符合的FV 特性。 为了能在芯片设计阶段更好地进行ESD(静电 放电)保护电路的设计改进，在流片测试之前，通过 2模型的建立 对ESD保护