tft-lcd工艺与静电击穿 tft-lcd process and esd.pdfVIP

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  • 2017-08-27 发布于上海
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tft-lcd工艺与静电击穿 tft-lcd process and esd.pdf

tft-lcd工艺与静电击穿 tft-lcd process and esd

%+,+$ -./ ()*+ i-. !#$%!#$ #%# %’’($ )*$ ) +,+$ -./ ()*+ ,-. I 李欣欣 龙春平 王 威 #京东方科技集团股份有限公司北京 IJJI$K $ 摘 要 薄膜晶体管液晶显示器 的制造工艺 ! ! !#$% $’( )*%+$+,)-’$./$0 1)2+*’ 0$+3’*2 456789:; 是一个复杂的过程 各个环节都可能发生静电击穿 现象 导致 ! !’=),+$= ?$+=@*)A B CDE; ! ! F5F78G: 器件被破坏 极大地影响了良品率 本文根据薄膜晶体管H FIF J生产工艺的实际情 况 阐述了产线里各类产品型号的 发生状况 在此基础上 对各种设计 工艺过程和工艺参 ! KLM ! # 数对 造成的影响进行了分析研究 为实际的生产提供了指导作用 KL: ! ! $ $ 关键词 薄膜晶体管液晶显示器 静电击穿 电场强度 中图分类号! 文献标识码! !#$% !’!()*+ ,-./011 234 56+ )7 893(:93; )= *?3@(A93@ BC= B09 D09E93 -903F 5G0/F-.39/1 =-.?A *.H;)F4; 09E93@ IJJI$K;*932L CM1F-2/FN +,+$ -./0890 :0 63; 186:= 7 40 12367 9 9 0 ?@/0 1A7B3; 7B:0 6:B0 3665290 :; 3BC0 7D72E0 12367 9 90 9 = 71 0 F A86A0 6:5 9 70 +,+0 890 47 9=23E7 40 :B40 A:90 :0 G8C0 G:40 7 HH7 6=0 =30 =A70 123456=0 E87 4I0 +A890 1:1 720 47 9 628G70 ?@/0 1A7B3; 7B:0

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