tft-lcd制程中ito残留的产生与控制 the occurrence and control of ito residual in tft-lcd process.pdfVIP

毛联波等：TFTr—LCD制程中ITO残留的产生与控制 文章编号：1006—6268(2007)l1-0035—04 TFT—LC D制程中-TO残留的 产生与控制 毛联波，向贤明，张俊瑞，张少楠，高 刚，马艳艳 (昆山龙腾光电有限公司，江苏215301) 摘 tin 要：铟锡氧化物(indium film siliconthin TFT—LCD)最常用的透明导电 amorphous transistor—hquidcrystaldisplay，a—Si：H 材料，其图形与厚度会直接影响到器件的相关性能。本文主要阐述了TFT—LCD生产中由于 ITO多晶化所造成的残留问题，并根据产线的情况对这些影响进行了分析．对实际生产过程中 出现的问题提出了相应的解决方案。 关键词：薄膜晶体管液晶显示器；氧化铟锡；ITO残留；多晶ITO 中图分类号：TNl41。9文献标识码：A TheOccurrenceandControIofITOResidua|_nTFT—LCDProcess MAO Lian-bo，XlANG Jun-rui， Xian-ming，ZHANG ZHANGShao-nan，GAO Gang，MAYan-yan 21 (InfovisionOploelectronics(Kunshan)Co．，Ltd，Jiangsu5301，China) most conductiveused Abstract：ITO(IndiumTinOxide)isthe popular materiaIina-Si：H TFT—LCDsandits andthicknesswilIaffectthecharacteristicofTFTdevice pattern directly． This describedthe whichcouldinduceITO then papermainly poly—ITO residual，and themechanismbasedonthe toavoidthe analyzed productionprocess．Solutions havealsobeenforward． phenomena put Keywords：TFT——LCD；ITO；ITOresidual；poly——ITO 1 引 言 附着性和稳定性，同时有较好的耐碱耐热性能，并能 够被酸蚀刻，因此是一种理想的透明导电材料，作为 ITO透明导电薄膜由于具有较高的电导率 透明电极被广泛用于平板显示器和太阳能电池等。。 (104—105Q。1cm-1)和较高的光透过率(在可见光范 围内的平均穿透率可超过90％)，对基板有良好的 基板侧的共通电极和TFT基