tft漏电流对flicker影响及测试方法研究 experiments of tft photo-leakage current impact on flicker.pdfVIP

姚之晓等 ：TFTI1漏 电流对 Flicker影响及测试方法研究 文章编号：1006—6268(2012)10—0032—05 TFT漏电流对Flicker影响及测试 方法研究 姚之晓，王明超 ，林鸿涛 ，刘家荣。王章涛 ，邵喜斌 (京东方显示技术有限公司 ，北京 100176) 摘 要：薄膜晶体管(TFT)作为像素单元充放电的开关，其漏电流( 大小是影响液晶屏性能的重要参 数之一。文章利用薄膜晶体管的非晶硅层为光敏材料的特点，通过液晶屏翻转实验、背光亮度变化实验、 minflicker-Vcom变化实验测量了flicker的大小，验证 了光照强度增强导致 增加后 ，出现了flicker 增大的现象，确定了k过高导致flicker的测试方法，通过实验进一步确定了k大小对flicker的影响。 关键词：液晶显示器；闪烁；薄膜晶体管漏电流 中图分类号 ：TN141．9 文献标识码 ：B ExperimentsofTFTPhOtO—eakageCurrentImpactonFlicker YAO Zhi—xiao，WANG Ming-chao，LIN Hong-tao，LIUJia-rong，WANG Zhang—tao SHAO Xi—bin (BeijingBOEDisplayTechnologyCo．，Ltd．，Beijing100176，China) Abstract：Thinf¨m transistor(1_F．r)playsanimportantroleasacharginganddischargingswitch ofpixe1．Itsphotocurrentleakage (／J hasasignificantinfluenceontheperformanceofLCD quality．Inthispaper，phOtOsensitiVecharacteristicofa-Siwasusedinthe LCD screenflip experiment，backlightbrightnesschangeexperiment，minflicker—Vcom changeexperiment and1lickerwasalsotested．Itisverifiedthathight intheconditionofilluminationincreased Ieadtoseriousflickerphenomenon．Theinfluenceof impactonflickerwasfurtherconfirmed throughtheseexperiments． Keywords：LCD；flicker；TFTphoto-leakagecurrent 32 现代显示AdvancedDisplay Oct．2012，总第141期 收稿 日期：2012—09一l1 万方数据 万方数据 姚之 晓等 ：TFvr漏 电流对 Flicker影响及测试方法研究 为2dotpattern负极性帧。 子内的电子云交替处于正极性或负极性的状态，防止 Min—flicker的测试使用了CA一310色彩分析 液晶老化现象的产生。如果公共电压Vcom不是像 仪，测试画面下通过调整合适的Vcom 电压值 ，获得 素正1生电压和负，I生电压的对称中心，那么正负极性的 flicker的最小值。flicker的计算如公式(1)所示： 亮度将会存在差异，产生闪烁。通过细微调节Vcom flic