XPS研究大气环境下热处理温度对玻璃基TiN薄膜组成与结构的影响.PDF

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2017-08-31 发布于天津
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23 1 武汉理工大学学报 Vol.23 No. 1 20011 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Jan. 2001 XPS TiN * 赵青南赵修建 ( ) : 用直流反应磁控溅射法在浮法玻璃基片上制备了TiN 薄膜镀膜试样在大气环境下分经520 e 570 e 和620 e 热处理10 min用X 射线光电子能谱( XPS) 得到的结果显示, 经520 e 热处理的试样,TiN 薄膜上出现了TiN O 层经570 e 热处理的试样,TiN 薄膜上的TiN O 成分减少,TiO 的含量增加, 620 e 热 x y x y 2 处理的试样表面上主要是TiO 570 e 和620 e 热处理的试样表面上存在少量来源于TiN 热氧化分解的单 2 质氮 : XPS; TiN 薄膜; 磁控溅射; 热处理 : TQ 171.72 , , ; , , , , [ 1] , [2] , , , , [ 3] , , TiN , , TiN , , , , TiN TiN O [4~ 5] x y [6] TiN 650 e , , TiN , TiN , TiN , X 520 e 570 e 620 e 10 min , TiN 1 1. 1 (99%) ,45 mm, 75 W5. 0@ 10 3 Pa, 0. 17~ 0.40 Pa, N BAr 1. 0~ 2. 0 2 40 nm 15 mm, , , 520 e 570 e 620 e 10 min 1.2 X : V. G. ESCALAB MKII,MgKA (hT= 1 253. 6 eV) , C = 1s :2000 11 24. : , 1963 , ; : ( 430070) . * ( ) (99087) . 23 1 :XPS TiN 13 284. 60 eV , 0. 05 eV, 0. 45 eV [7] 2 1TiN XPS 1, Ti N, O 2 TiN N1s Ti2p XPS 2 , Ti2p 455. 9 3/ 2 eV,N1s 399. 65 eVTi2p 3/ 2 [8] [8] , N1s 2 eV, , 2 N1s , N ; 2 [ 9] Ti2p , 3/ 2 TiN , , TiN N Ti TiN0.94 N 1,