电光效应实验报告.doc

现代测控系统集成设计报告 ——晶体的电光效应—泡克尔斯效应实验 姓名：赵明 学号：3112079008 班级：硕2022 专业：测试计量技术与仪器 报告日期：2013年1月3日 目录 一、实验原理 1 二、仪器介绍 7 三、实验内容 9 四、数据处理 11 五、注意事项 12 一、实验原理 某些晶体在外加电场中，随着电场强度E的改变，晶体的折射率会发生改变，这种现象称为电光效应。通常将电场引起的折射率的变化用下式表示: 式中a和b为常数，n0为E0=0时的折射率。由一次项aE0引起折射率变化的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔电光效应（pokells）；由二次项引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔效应（kerr）。由（1）式可知，一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。 光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系，在主轴坐标中，折射率椭球方程为： 式中n1，n2，n3为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。如图一所示，当晶体上加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球的方程变为 图一 晶体折射率椭球 只考虑一次电光效应，上式与式（2）相应项的系数之差和电场强度的一次方成正比。由于晶体的各向异性，电场在x、y、z各个方向上的分量对椭球方程的各个系数的影响是不同的，我们用下列形式表示： 上式是晶体一次电光效应的普遍表达式，式中γij叫做电光系数 (i=1,2,…6;j=1,2,3)，共有18个，EX、EY、EZ是电场E在x、y、z方向上的分量。式（4）可写成矩阵形式： 电光效应根据施加的电场方向与通光方向相对关系，可分为纵向电光效应和横向电光效应。利用纵向电光效应的调制，叫做纵向电光调制；利用横向电光效应的调制，叫做横向电光调制。晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。把加在晶体上的电场方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电光效应，称为纵向电光效应，通常以KD?P类型晶体为代表。加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应，称为横向电光效应 ，以晶体为代表。LiNbo3这次实验中，我们只做晶体的横向电光强度调制实验。我们采用对LN晶体横向施加电场的方式来研究LiNbO3晶体的电光效应。其中，晶体被加工成5×5×30mm3的长条，光轴沿长轴通光方向，在两侧镀有导电电极，以便施加均匀的电场。 铌酸锂晶体是负单轴晶体，即nx=ny=n0、nz＝ne 。式中和分别为晶体的寻常光和非寻常光的折射率。加上电场后折射率椭球发生畸变，对于3m类晶体，由于晶体的对称性，电光系数矩阵形式为 当X轴方向加电场，光沿Z轴方向传播时，晶体由单轴晶体变为双轴晶体，垂直于光轴Z方向折射率椭球截面由圆变为椭圆，此椭圆方程为： 进行主轴变换后得到： 考虑到n20γ22Ex1，经化简得到 当 X 轴方向加电场时，新折射率椭球绕 Z 轴转动45o 图三为典型的利用LiNbo3晶体横向电光效应原理的激光强度调制器。 图三 晶体横向电光效应原理图 其中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的X轴，检偏器的偏振方向平行于Y轴。因此入射光经起偏器后变为振动方向平行于X轴的线偏振光，它在晶体的感应轴X’和轴Y’上的投影的振幅和位相均相等，设分别为 或用复振幅的表示方法，将位于晶体表面（z=0）的光波表示为 所以,入射光的强度是 当光通过长为l的电光晶体后， X′和Y′两分量之间就产生位相差δ，即 通过检偏器出射的光，是这两分量在Y轴上的投影之和 其对应的输出光强I1，可写成 由（13）、（16）式，光强透过率T 由此可见，δ和V有关，当电压增加到某一值时，X’、Y’方向的偏振光经过晶体后产生λ/2的光程差，位相差δ=π，T=100%，这一电压叫半波电压，通常用Vπ或Vλ/2表示。 Vπ是描述晶体电光效应的重要参数，在实验中，这个电压越小越好，如果Vπ小，需要的调制信号电压也小，根据半波电压值，我们可以估计出电光效应控制透过强度所需电压。 由（17）式 由（17）、（18）式 因此，将（16）式改写成 其中V0是直流偏压，Vmsinωt是交流调制信号，Vm是其振幅，ω是调制频率，从（20）式可以看出，改变V0或Vm输出特性，透过率将相应的发生变化。 由于对单色光，πn03γ22/λ为常数，因而T将仅随晶体上所加电压变化，如图四所示，T与V的关系是非线性的，若工作点选择不适合，会使输出信号发生畸变。但在Vπ/2附近有一近似直线部分，这一直线部分称作线性工作区，由上式可以看出：当V=Vπ/2时，δ=π/2，T=50%。 图