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Ge+注入Si1-x GexSi异质结的退火行为.pdf
中南大学学报{自然科学版} Vo l. 36 No.4
第 36 卷第 4 期
2005 年8 月 J. CENT. SOUTH UNIV. (SCIENCE AND TECHNOLOGY) Aug. 2005
Ge+ 注入 Sh-xGex/Si 异质结的退火行为
罗益民1 ，陈摄华2 ，黄培云3
(1.中南大学物理科学与技术学院，湖南长沙，410083;
2. 湖南大学材料科学学院，湖南长沙，410082;
3. 中南大学粉末冶金研究院，湖南长沙，410083)
16 2
摘要:在注入能量为 100 keV 时，将注入剂量为 5.3 X 10 /cm 的 Ge+注入(OOl) SIMOX 硅膜中制备 Sh-xGex/Si
异质结;然后，对样品进行模鸽灯快速热退火，返火温度为 700-1 050 .C ，退火时间为 5-30 min。对样品的(004)
和(113) 面 X 射线衍射数据进行计算和分析，得出退火温度为 1000 C 、退火时间为 30 min 为最佳退火条件。在此
返火条件下，假设团相外延生长为质品生长，90% 的注入 Ge+ 位于替代位置，若同时考虑应变抱豫，则位于替代位
置的 Ge+达到理论最大值的 82% ，共格因子为 0.438。由于高剂量 Ge+ 注入引起表面晶格损伤严重以及应变弛事
籍放的位错和缺陷，因此，表面结晶质量不太理想。
关键词:离子注入; Sil-xGex/Si 异质结s 返火行为， X 射线衍射
申固分类号:TN305.3 文献标识码:A 文章编号:1672-7207(2005)04-0560-06
Annealing behavior of Si1- …xGex/Si heterostructure
formed by Ge+ implantation with X-ray diffraction
LUO Yi-min1 , CHEN Zhen-hua2 , HUANG Pei-yun3
(1. School of Physics Science and Technology , Central South University , Changsha 4100邸， China;
2. School of Materials Science , Hunan University , Changsha 410082 , China;
3. Institute of Powder Metallurgy , Central South University , Changsha 410083 , China)
16 2
Abstract:Si 1 - z Gez/Si heterostructure was prepared by implanting 5. 3 X 10 /cm of Ge+ into
(00 1) separation by implanted oxygen(SIMOX) wafe
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