电子技术基础课件 第五章 场效应管及其基本放大电路.pptVIP

2. 图解分析 VDD vO B Rd g d s T iD vi VGG + - + - iD vDS o VDD 预夹断临界点轨迹（vGD= vGS –vDS=VT） VDD/Rd o o t t iD IDQ VDSQ id vds vi VGS=VGG Q vDS VGG VT VDD 足够大，场效应管工作于饱和区 3. 小信号模型分析 输入信号很小，FET工作在饱和区，看成双口网络，N沟道EMOS 第三项与输入信号平方成正比，当vi=vgs为正弦时，平方项使输出电压产生谐波或非线性失真 小信号条件：vgs2(VGSQ-VT) s g d vgs gmvgs vds s g d rds vgs gmvgs vds id 共源极NMOSFET低频小信号模型 g s d vGS iD vDS s g d rds vgs gmvgs vds id Cgs+Cgb Cgd Cds FET的高频模型（b、s相连） 互导gm vs +VDD vo vi B Cb2 Cb1 Rg1 Rd Rg2 g d s T iD -VSS Rs R 例 电路如图 vo R vi g Rd Rg1|| Rg2 s d Rs vs + - vs +VDD vo vi B Cb Rg1 Rg2 g d s T iD Rs R 例：电路如图（电压跟随） 同相放大电压跟随 vo R vi g rds Rg1||Rg2 s d Rs Ri R s d Rs g vT iT Ro 计算输出电阻时，信号源置零，除去负载，在输出端加测试源vT rds Rg1||Rg2 （1）自给偏压：利用漏极电流在源极电阻上的直流压降 该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的电路（N沟道结型器件电路）。 增强型FET不能用自偏压电路 VDD vo ID vi C Cb2 Cb1 Rd Rg g d s R 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析方法 0. 直流偏置电路 VGS= -RID 转移特性 利用VGS与ID的关系，联立求解。解出静态工作点VGS 、 ID 、VDS （2）分压式自偏压电路 VDD vo R vi C Cb2 Cb1 Rg1 Rd Rg3 Rg2 g d s 1. FET的小信号模型 FET是一个电压控制元件，当输入信号较小、且FET工作在恒流区，低频共源接法下，有： 写成相量形式： 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替 g s d vGS iD vDS s g d rds vgs gmvgs vds rgs id s g d rds vgs gmvgs vds id rdsgmvgs=?vgs rds vds id 低频小信号模型 戴维南电源等效 s g d rd vgs gmvgs vds rgs id Cgs Cgd Cds FET的高频模型 VDD vo R vi Cb2 Cb1 Rg1 Rd Rg3 Rg2 g d s 2. 应用小信号模型法分析FET电路 共源极放大电路 vo R vi g Rg1 Rd Rg3 Rg2 rd rgs s d VDD vo R vi Cb2 Cb1 Rg1 Rg3 Rg2 G D S RL Rs vs 共漏极放大电路 同相放大 电压跟随 vo R vi g Rg1 RL Rg3 Rg2 s d Rs Ri R Rg1 Rg3 Rg2 s d Rs g vT iT Ro 计算输出电阻时，信号源置零，除去负载，在输出端加测试源vT 例 共漏极放大电路。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻 （1）中频电压增益 （2）输入电阻 （3）输出电阻 (1)场效应管放大器输入电阻很大 (2)场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=Rd (3)场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小 各种类型的MOSFET的输出、转移特性； 共源、共漏极放大电路的分析计算 小结及重点 MOS器件主要应用在数字集成电路方面 JFET在低噪声放大电路方面有广泛应用 （4）焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场。对MOSFET，最好断电利用烙铁余热焊接 （1）在MOS管中，有的产品将衬底引出，可让使用者视电路的需要任意连接。一般P衬底接低电位、 N衬底接高电位。当源极的电位很高或很低时，为减轻源衬间电压对管子导电性能的影响，可将源极与衬底连在一起 （2）从场效应管的结构上看，源极和漏极是对称的，可以互换。但有些产品出厂时已将源极与衬底连在一起，这时源极与漏极就不能对调 （3）JFET的栅源电压不能接反，但可以在开路状态