第06讲——第4章 存储器(4.2.3-4.2.4).pptVIP

《计算机组成原理》第06讲第4章 存储器（4.2.3-4.2.4） 主讲人：李淑芝 第4章 存 储 器 教学要求 复习旧课 引入新课 例题：一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？ 解：DRAM的刷新最大间隔时间为2ms，则异步刷新时，刷新 间隔 =2ms/256行 =0.0078125ms =7.8125μs 即：每7.8125μs刷新一行 集中刷新时，刷新最晚启动时间=2ms-0.1μs×256行= 2ms- 25.6μs=1974.4μs 集中刷新启动后，刷新间隔 = 0.1μs 即：每0.1μs刷新一行 集中刷新的死时间 =0.1μs×256行=25.6μs 分散刷新时，刷新间隔 =0.1μs×2 =0.2μs 即：每0.2μs刷新 一行 分散刷新一遍的时间=0.1μs×2×256行 =51.2μs 则分散刷新时，2ms内可重复刷新遍数=2ms/ 51.2μs ≈39遍 课堂练习题： 1. EPROM是指______。 A. 读写存储器 B. 只读存储器 C. 可编程只读存储器 D. 光擦除可编程ROM 答案：D 2. 某单片机的系统程序，不允许用户在执行时改变，则可以选用______作为存储芯片。 A. SRAM B. 闪速存储器 C. Cache D.辅助存储器 答案：B 课堂练习题： 3. 闪速存储器特别适合于A.______微型计算 机系统，被誉为B.______而成为代替磁盘 的一种理想工具。 答案：A.便携式 B.固态盘 4. 广泛使用的A.______和B.______都是半导 体随机读写存储器，它们共同的缺点是 C.______。 答案： A.SRAM B.DRAM C.断电后 不能保存信息 单元 电路 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 A9 A8 A7 A6 A5 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … 动态 RAM 芯片举例 ① 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 读 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 D … 0 0 单元 电路 读 写 控 制 电 路 （2）动态 RAM (DRAM) A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 动态 RAM 芯片举例 （2）动态 RAM (DRAM) 1 1 1 1 1 A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 动态 RAM 芯片举例 （2）动态 RAM (DRAM) A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地 址 译 码 器 … … … 读选择线 写选择线 D 单元 电路 行 地 址 译 码 器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器 写 数 据 线 读 数 据 线 … … … … … 0 … 1 1 1 1 1 … ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 动态 RAM 芯片举例 （2）动态 RAM (DRAM) A9 A8 A7 A6 A5 读 写 控 制 电 路 列 地