第2章 基于8086的微型计算机组成.ppt

第2章 基于8086/8088的微机组成 可编程的ROM(PROM) 可编程的ROM(PROM) 出厂时，所有存储单元的熔丝都是完好的。编程时，通过字线选中某个晶体管。若准备写入1，则向位线送高电平，此时管子截止，熔丝将被保留；若准备写入0，则向位线送低电平，此时管子导通，控制电流使熔丝烧断。换句话说，所有存储单元出厂时均存放信息1，一旦写入0使熔丝烧断，就不可能再恢复。 可擦除可编程的ROM（EPROM） 可擦除可编程的ROM（EPROM） 特点：芯片的上方有一个石英玻璃的窗口，通过紫外线照射，芯片电路中的浮空晶栅上的电荷会形成光电流泄漏走，使电路恢复起始状态，从而将写入的信号擦去。 EPROM的工作原理： 在N型的基片上安置了两个高浓度的P型区，分别引出源极（S）和漏极（D），在S和D之间有一个由多晶硅构成的栅极，但它是浮空的，被绝缘物SiO2所包围。 出厂时，硅栅上没有电荷，则管子内没有导电沟道，D和S之间是不导电的。当把EPROM管子用于存储矩阵时，它输出为全1（或0）。要写入时，则在D和S之间加上25V的高压，另外加上编程脉冲（其宽度约为50ms），所选中的单元在这个电源作用下，D和S之间被瞬时击穿，就会有电子通过绝缘层注入到硅栅，当高压电源去除后，因为硅栅被绝缘层包围，故注入的电子无处泄漏走，硅栅就为负，于是就形成了导电沟道，从而使EPROM单元导通，输出为“0“ 或”1“。 电可擦除可编程的ROM（E2PROM） 电可擦除可编程的ROM（E2PROM） 应用特性： （1）对硬件电路没有特殊要求，编程简单。 （2）采用＋5V电源擦写的EEPROM，通常不需要设置单独的擦除操作，可在写入过程中自动擦除。 （3）EEPROM器件大多是并行总线传输的 闪速存储器（Flash Memory） 闪速存储器（Flash Memory） Flash Memory芯片借用了EPROM结构简单，又吸收了EEPROM电擦除的特点；不但具备RAM的高速性，而且还兼有ROM的非易失性。同时它还具有可以整块芯片电擦除、耗电低、集成度高、体积小、可靠性高、无需后备电池支持、可重新改写、重复使用性好（至少可反复使用10万次以上）等优点。平均写入速度低于0.1秒。使用它不仅能有效解决外部存储器和内存之间速度上存在的瓶颈问题，而且能保证有极高的读出速度。 Flash Memory芯片抗干扰能力很强。 ROM与RAM的不同使用范围 RAM（Random Access Memory）：易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。 ROM（Read Only Memory）：只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。 EPROM，EEPROM，Flash 性能同ROM，但可改写，一般读比写快，写需要比读高的电压，（读5V，写12V）但Flash可以在相同电压下读写，且容量大成本低，如U盘、MP3中使用广泛。 在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。 在单片机系统中，RAM一般用作数据存储器，ROM用作程序存储器。 一片SRAM芯片一般有4种信号： 地址输入线：与存储器容量有关。N位地址，则存储器容量为2N。 数据输入/输出线：每个存储单元所存放数据的位数。 片选信号CS：芯片选择，输入信号，低电平有效。 写允许信号WE：该信号有效时，数据写到存储器。 读（输出）允许信号OE：该信号有效时，数据从存储器输出。 存储器与CPU接口就是上述信号与CPU的连接问题。 存储器引脚结构 常用存储器引脚结构 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 8K×8 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14