第3章 双极型晶体管-1.ppt

* 微电子学基础理论 第三章 双极型晶体管 信息工程学院 姜梅 3.1晶体管的结构与工作原理 3.1.1 晶体管的基本结构 晶体管就有两种基本组合形式：P-N-P型或N-P-N型，它们的结构和符号如图所示，其符号中的箭头方向表示发射结电流的方向。 （a）管芯结构 （b）符号 P-N-P型晶体管的结构和符号 3.1.2晶体管的制备工艺与杂质分布 1. 合金晶体管 PNP型合金管结构与杂质分布如图所示 合金晶体管的杂质分布特点：三个区的杂质分布都是均匀分布，基区的杂质浓度最低，其发射结和集电结均是突变结。 （a）管芯结构 （b）杂质分布 锗合金晶体管的结构与杂质分布 3.1.2晶体管的制备工艺与杂质分布 2. 平面晶体管 平面晶体管结构与杂质分布如图所示 平面工艺最主要的特点是：利用SiO2稳定的化学性能，能耐高温，具有掩蔽杂质原子扩散和良好的绝缘性能，与光刻技术相配合，可进行选择扩散，这样使平面晶体管具有更为合理的电极形状，薄的基区，钝化的表面，因此在功率、噪声、稳定性、可靠性等方面达到一个较高的水平。 （a）管芯结构 （b）杂质分布 图3-4 硅平面晶体管的结构与杂质分布 3.1.2晶体管的制备工艺与杂质分布 3. 外延平面晶体管 在平面晶体管制造工艺的基础上又发展了一种外延平面晶体管。其结构与杂质分布如图所示 由图可见，双扩散外延平面晶体管的基片电阻率很低，集电极串联电阻很小，使集电极饱和压降减小，晶体管可做得很小，基区宽度Wb很薄，从而使外延平面晶体管在频率特性、开关速度和功率等方面都有很大的提高与改善，因此，成为目前生产最主要的一种晶体管。 （a）管芯结构 （b）杂质分布 硅外延平面管结构及杂质分布示意图 3.1.3 晶体管的工作原理 晶体管最重要的作用是具有放大电信号的能力。为什么紧靠着的两个PN结具有放大作用？要晶体管具有放大作用首先要有适当的电路。 晶体管放大电路原理 3.1.3晶体管的放大功能 基区厚度很大的NPN结构的电流流通与少子分布示意图 3.1.4 晶体管的放大功能 表1给出了型号为3DG6晶体管（硅高频小功率管），在集电结UCC=6V条件下测量所得的实际数据。 晶体管的电压放大系数为： 晶体管的功率放大应等于它的电流放大系数与电压放大系数的乘积， 表1 晶体管各电极电流分配表 发射极电流IE（mA) 1 2 3 4 5 集电极电流IC（mA) 0.98 1.96 2.94 3.92 4.90 基极电流IB（mA) 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 3.2 晶体管的电流放大特性 几点假设: 发射结和集电结均为理想的突变结，且结面积相等（用A表示）； 各区杂质为均匀分布，载流子仅做一维传输，不考虑表面的影响； 外加电压全部降落在PN结势垒区，势垒区以外不存在电场； 发射结和集电结势垒区宽度远小于少子扩散长度，且不存在载流子的产生与复合，因而通过势垒区的电流不变； 发射区和集电区的宽度远大于少子扩散长度，而基区宽度远小于少子扩散长度； 注入基区的少子浓度比基区多子浓度低得多，只讨论小注入情况。 3.2.1 晶体管的能带、浓度分布及载流子的传输 2. 非平衡晶体管的能带及少数载流子的浓度分布 （a）结构 （b）能带 （c）少子分布 非平衡晶体管能带与少数载流子浓度分布 3.2.1 晶体管的能带、浓度分布及载流子的传输 3. 载流子的输运过程 （a）少子分布示意图 （b）载流子输运过程示意图 晶体管中载流子分布及其输运过程示意图 3.2.1 晶体管的能带、浓度分布及载流子的传输 3. 载流子的输运过程 （1）根据正向PN结特性，发射区注入基区靠发射结边界X2处的电子浓度为 由基区注入发射区靠发射结边界X1处的空穴浓度为 （2） 根据反向PN结特性，集电结两边界X3和X4处的少子浓度分别为 3.2.2 晶体管内的电流传输与各端电流的