第4章 半导体制造中的沾污控制.pptVIP

第四章 沾污控制与净化技术 本章内容 沾污的类型，来源，后果，去除方法 硅片清洗，方案，流程，评估要点。 先进的干法清洗方案介绍 4.1 沾污的类型 净化间沾污分为五类 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD） 颗粒的相对尺寸 半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。 一道工序引入到硅片中超过某一关键尺寸的颗粒数，用术语表征为每步每片上的颗粒数（PWP）。 在当前生产中应用的颗粒检测装置能检测到的最小颗粒直径约为0.1微米。 可动粒子沾污引起的阀值电压改变 四. 自然氧化层 五. 静电释放 静电释放（ESD）也是一种形式的污染，因为它是静电和从一个物体向另一个物体未经控制的转移，可能损坏芯片。 ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦。 半导体制造中，硅片加工保持在较低的湿度中，典型条件为40％＋10％的相对湿度（RH，Relative Humidity）这种条件容易使较高级别的静电荷生成。增加相对湿度可以减少带电体的电阻率，有助于静电荷的释放，但同时也会增加侵蚀带来的沾污。 静电释放带来的问题 静电释放导致金属导线蒸发，氧化层击穿。（总电量小，但是区域集中，放电时间短，导致高电流） 电荷积累吸引带电颗粒或其他中性颗粒，引起后续沾污。 4.2 沾污的源与控制 半导体器件制造厂房存在7种沾污源：空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体和生产设备。 一. 空气 净化间最基本的概念是硅片工厂空气中的颗粒控制。我们通常所呼吸的空气是不能用于半导体制造的，因为它包含了太多的漂浮沾污。 硅片生产厂净化室 二. 人 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。 现代超净服是高技术膜纺织品或密织的聚酯织物。先进的材料对于0.1微米及更大尺寸的颗粒具有99.999%的效率级别。 超净服的系统目标： 1）对身体产生的颗粒和浮质的总体抑制； 2）系统颗粒零释放； 3）对ESD的零静电积累； 4）无化学和生物残余物的释放。 工艺线直击——净化间 三．厂房 为使半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出。在净化间布局、气流流动模式、空气过滤系统、温度和湿度的设定、静电释放等方面都要进行完美的设计，同时尽可能减少通过设备、器具、人员、净化间供给引入的颗粒和持续监控净化间的颗粒，定期反馈信息及维护清洁。 气流原理 为实现净化间中的超净环境，气流种类是关键的。对于100级或一下的净化间，气流是层流状态，没有湍流气流模式。 垂直层流对于外界气压具有轻微的正压，充当了屏蔽以减少设备或人到暴露着的产品的横向沾污。 对于流体流动状态的描述—— 空气过滤 空气进入到天花板内的特效颗粒过滤器，以层流的模式流向地面，进入到空气再循环系统后与补给的空气一道返回空气过滤系统。在现代工艺线上，空气每6秒可以周转1次。 特效颗粒过滤器： 高效颗粒空气过滤器（HEPA）：用玻璃纤维制成，产生层状气流。 超低渗透率空气过滤器（ULPA）：指那些具有99.9995%或更高效率过滤直径超过0.12 μ m颗粒的过滤器。 空气循环系统设备 温度和湿度 对硅片加工设备温度和湿度的设定有着特别的规定。一个1级0.3μm的净化间温度控制的例子是68±0.5℉。 相对湿度（RH）很重要，因为它会助长侵蚀，例如自然氧化层的生长。典型的RH设定为40％±10％。 静电释放 多数静电释放可以通过合理运用设备和规程得到控制。主要的ESD控制方法有： 防静电的净化间材料 ESD接地 空气电离。 四．水 为了制造半导体，需要大量的高质量、超纯去离子水（DI water，de-ionized water）。我们平时使用的来自于自来水厂的生活用水含有大量的沾污而不能用于硅片生产。经过处理之后，DI中不允许有的沾污是：溶解离子、有机材料、颗粒、细菌、硅土和溶解氧。同时在25℃下，DI的电阻率要达到18MΩ-cm。一个水净化系统见图4.1。 五. 工艺用化学品 无论是液态化学品还是气体化学品，都必须不含沾污。然而，处理和传送系统有可能引入杂质，所以在靠近使用现场安置过滤器。 过滤效率是指停留在过滤器中特定尺寸以上的颗粒的百分比。对于ULSI工艺中使用的液体过滤器，对于0.2微米以上颗粒的典型效率为99.9999999%。 六. 生产设备 用来制造半导体硅片的生产设备是硅片工厂中最大的颗粒来源。 在硅片制造过程中，硅片从片架重复地