第4章 光电测试常用器件及检测电路5.pptVIP

* 5. 应用举例: 1) 电平转换 * 2) 逻辑门电路 * 3) 光电隔离 * 高压稳压电路 课堂练习6 * 七、固体摄像器件 1. 电荷耦合器件（Charge-Coupled Devices）---CCD 应用--- 摄像、广播电视摄像机、闭路电视、家用摄像； 工业、军事、科学研究 1970年美国贝尔实验室研制出来的新型光电成像器件 特点 --- 体积小、重量轻、灵敏度高、寿命长、功耗低、 动态范围大 1) 工作原理 基于MOS（金属—氧化物---半导体）电容器在非稳态下工作 ① MOS电容的平衡态特性 CCD单元部分--- MOS结构电容 * --- 硅衬底上生长一层SiO2，再镀上一层金属铝作为栅极 电子迁移率较高 UG--- 加在栅极上的偏压 UG为正---栅极电压对地为正 衬底 --- P型、N型 衬底硅下制成欧姆接触 ---- MOS电容器 UG P型硅衬底MOS电容（状态随UG变化） * 2）电荷耦合摄像器件 --- 一块硅片上同时制作出光敏二极管阵列和CCD移位寄存器 光敏二极管----光电转换和光积分； 排列方式--- 线阵列、面阵列 CCD移位寄存器 ----光生电荷转移； 自扫描 ---不用借助于外来的扫描，仅依靠驱动脉冲完成 ① 线阵列CCD摄像器件 单边传输--- 结构简单、极板数多、传输效率低 双边传输--- 结构复杂、极板数少（一半）、损耗小、传输效率高，两路输出不对称（缺点） （位数少） （位数多） * ?p---行扫描电压； 衬底--- P硅； （SiO2隔开） --- 像素 ?x ----栅极转移电压； ?1~?3---三相移位寄存器CCD的驱动时钟 高电平---光敏二极管反偏置 （转移栅--- 铝条/多晶硅） 光积分---低电平；高电平---- 电荷转移 * 线阵列固体摄像器件的工作过程： ① 光信号的积分；② 电信号的转移；③ 信号电荷包的传输；④驱动周期的计数；⑤ 信号电荷的读取 按一定时序工作---同步关系（无限循环过程） 像素数 ---512、1024、2048、5000、7200等； 像素间距---6~12?m（最小可达2 ?m ） * ② 面阵CCD摄像器件 ---简称ACCID ---行间转移、帧转移、 行帧混合转移 三部分---- 光敏区、存储区、水平读出区 光敏区---光敏CCD阵列（光电变换、光积分） 暂存区---遮光CCD阵列（列数及位数和光敏区一一对应，每一列相互衔接） 像素数---512?512、595?796、1000?1000、1000?2000； 帧速---950、1200帧/秒； 波长--- 可见、红外、紫外 * 3）CCD器件的特点： ① 光敏单元阵列难与其驱动电路及信号处理电路单片集成 --- 不易完成一些模拟和数字功能（包括转换器、精密放大器、存储器、运算单元） ② 驱动脉冲复杂，需要使用相对较高的工作电压 --- 不能与深亚微米超大规模集成VLSI技术兼容时钟频率的上限fH 优点： ② 应用技术较成熟 ① 可以大批量生产、设计简单、灵敏度高 缺点： ② CCD芯片尺寸 ： 面阵CCD芯片 ① 制式： PAL制式：标准为625行、50场，中国采用隔行扫描（黑白为CCIR） （西欧、亚洲、澳大利亚） NTSC制式：标准为525行，60场（黑白为EIA）（美加、日本） 非标准制式 --- 只有医疗或其它专业领域才用到 4) CCD摄像机的参数： ③ CCD分辨率： 作用：是CCD的主要性能指标，它决定了显示图像的清晰程度； 分辨率越高，图像细节的表现越好。 像素：CCD每一个元素，像素越多，图像越清晰； 例：44万(768*576)、100万(1024*1024)、200万(1600*1200)… 灰度级：灰度分辨率、色彩分辨率， 1/2n 位数越多，图像越清晰：8位、10位、12位。 普通型 正常工作所需照度1~3LUX 月光型 正常工作所需照度0.1LUX左右 星光型 正常工作所需照度0.01LUX以下 红外型 采用红外灯照明，在没有光线的情况下也可以成像 根据照度划分，CCD又分为： ④ 最低照度 ： 是CCD对环境光线的敏感程度（最暗光线）; 单位---勒克斯，LUX，数值越小，需要的光线越少，越灵敏; 有人称灵敏度， 不准确，应为灵敏阈或阈值。 ⑤ 信噪比： 典型值为46分贝， 如果为50分贝，则图像有少量噪声，但图像质量较好； 如果能达到60分贝，就不会出现噪声。 ⑦电源： 交流220伏、24伏； 直流12伏、