第三节 光电传感器.pptVIP

第三节 光电传感器; 1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。 ;;光电传感器是目前产量最多应用最广泛的传感器之一，其在交通检测中的应用也较多，如电光式车辆检测器用来对交通参数进行检测。 光电传感器以光电效应为基础，是一种将光信号转换为电信号的传感器。光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。 光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此，光电式传感器在检测和控制系统中应用非常广泛。;;2. 光电效应;（1）外光电效应;（2）内光电效应;;一、主要光电元件; 工作原理： 硅光电池的工作原理基于光生伏特效应，它是在一块N型硅片上用扩散的方法掺人一些P型杂质而形成的一个大面积PN结。当光照射P区表面时，若光子能量大于硅的禁带宽度，则在P型区内每吸收一个光子便产生一个电子.空穴对，P区表面吸收的光子最多，激发的电子空穴最多，越向内部越少。这种浓度差便形成从表面向体内扩散的自然趋势。由于PN结内电场的方向是由N区指向P区的，它使扩散到PN结附近的电子-空穴对分离，光生电子被推向N区，光生空穴被留在P区。从而使N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。若用导线连接P区和N区，电路中就有光电流流过。;光敏晶体管通常指光敏二极管和光敏三极管，它们的工作原理也是基于内光电效应，和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上，PN结参与了光电转换过程。 光敏二极管的结构和普通二极管相似，只是它的PN结装在管壳顶部，光线通过透镜制成的窗口，可以集中照射在PN结上，光敏二极管在电路中通常处于反向偏置状态。;（1）光敏二极管 ;光电池外形;光敏二极管外形 ;;;PIN光电二极管;光电二极管的基本特性和参数;;APD光敏二极管（雪崩光敏二极管）;;;;光敏三极管有两个PN结，可以获得电流增益，它比光敏二极管具有更高的灵敏度。当光敏三极管的集电结反向偏置，发射结正向偏置时。无光照时仅有很小的穿透电流流过，当光线通过透明窗口照射集电结时，和光敏二极管的情况相似，将使流过集电结的反向电流增大，;;二、光电传感器;;;;;三、热释电型红外传感器;;;;;课后作业：;谢谢指导！