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高真空单靶磁控溅射镀膜机 使用说明 沈阳天成真空技术有限责任公司 20011年12月 高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明 本磁控溅射设备是受吉林大学的委托，根据双方签署的技术合同要求而研制的。本磁控溅射设备可装卡直径Φ70以下的样品，溅射室极限真空度优于2×10-4Pa。 下面就本磁控溅射设备的构成及其配置、操作及其注意事项说明如下： 设备构成及其配置 本沉积系统主要由镀膜系统、真空获得及测量系统、配气系统、加热器与温度控制系统、升降系统、水路循环系统等组成。该沉积系统结构图如下： 1.1 镀膜系统 镀膜系统由装片架、磁控靶等组成。 1.1.1装片架 装片架主要由架板、样品卡等组成。详见下图： 1.1.2 磁控靶 本沉积系统配有一套磁控靶、一套1kW的RF溅射电源和一套500W的直流溅射电源及一套100W的偏压电源。镀膜时，可根据需要分别手工连接至直流溅射电源、偏压电源及RF溅射电源。 RF溅射电源、直流溅射电源及偏压电源分别见各自的说明书。 磁控靶的安装： 如图：将图中箭头所指示的三个内六角螺钉松开一点，不必 卸下来。 ②如图：将图中箭头所指示的屏蔽罩向上抽出。 如图：将图中箭头所指示的四个内六角螺钉卸下来。 如图：将图中箭头所指示的压盖取出。 如图：将图中箭头所指示的靶材（Φ76-0.2-0.3×3.2）放到靶面上。然后将压盖及屏蔽罩装上，拧紧内六角螺钉,然后用万用表检测靶面与真空室腔体是否连通，不通则正常。至此靶材安装完成。 1.2 真空获得、配气及测量系统 真空获得及测量系统主要由沉积室（内壁尺寸为φ300×300）、1台PN2K—600L复合分子泵（抽速为600L/s）及1台FX16型机械泵（抽速为4L/s）、CC150闸板阀、1个隔断阀、1个电磁阀、1个CF35角阀、一个CF16角阀、前级管道、预抽管道、2个D07系列质量流量计、1个D08型流量显示仪、1个电阻规、1个电离规、ZDF-5227复合真空计组成，其极限真空度优于2×10-4Pa。 1.3 加热器与温度控制系统 加热器由石墨片、钼杆和隔热屏等组成，加热温度优于500℃，其结构详见下图： 温度控制系统详见电器部分说明书。 1.4 升降系统 升降系统由上盖升降机构及磁控靶升降机构组成。 1.4.1 上盖升降机构 上盖升降机构由电机、减速器、丝杠等组成，功能为实现真空室上盖的升降。其结构见下图： 1.4.2 磁控靶升降机构 磁控靶升降机构由丝杠、双柄手轮、轴承、标尺等组成，主要是实现磁控靶的升降，其升降范围为70mm。其结构见下图： 1.6 水路循环系统 水路循环系统由分水器，水压继电器、水管等组成，主要作用是磁控靶与分子泵的冷却。 设备操作及其注意事项 2.1 真空操作 2.1.1 极限真空操作 1）开机前，将所有阀门置于关闭状态，只开通分子泵冷却水并打开总电源； 2）启动机械泵，开真空计； 3）打开真空室上的CF35角阀，打开电磁隔断阀； 4）待真空度达到20Pa以下, 关闭CF35角阀； 5）启动分子泵，将CC150闸板阀打开，直至达到极限真空； 2.1.2 镀膜真空操作 1）装上样品，落下真空室上盖，开机前，所有阀门置于关闭状态，开通全部冷却水并打开总电源； 2）启动机械泵，开真空计； 3）打开真空室上的CF35角阀、CF16角阀、气路截止阀及隔断阀，流量计处于打开状态，对真空室及配气管路进行预抽； 4）待真空度达到20Pa以下, 关闭CF35角阀、气路截止阀； 5）启动分子泵，将CC150闸板阀打开； 6）待真空度达到10-3~10-4Pa后，向真空室配气，调整CC150闸板阀阀板位置，直至镀膜工艺要求的真空度，然后进行镀膜过程操作（根据镀膜工艺要求是否启动样品加热及偏压电源）； 7）镀膜过程结束后，停止配气，关闭气路截止阀、CF16角阀、8）停止分子泵至转速为0； 9）停止机械泵（如已开启加热，待温度降到200℃以下时，方可停止机械泵），打开放气阀，使真空室达到常压，关闭冷却水； 10）升启上盖，取出装片架。 2.1.3 注意事项 1）分子泵、磁控靶，必须检查冷却水是否开通； 2）分子泵必须达到启动条件（20Pa以下）方可启动； 3）磁控靶升降需在标尺刻度65mm—135mm范围内； 4）真空室尽可能不暴露大气； 5）丝杠及导套部分定期涂抹润滑脂； 6）射频电源功率调节不超过500W，防止烧坏磁控靶； 7）加热器启动时，真空度必须达到几pa方可，以免损坏石墨片； 8）定期清理真空室内的屏蔽罩，保持清洁； 9