薄膜物理 第3章 溅射法.ppt

第3章 薄膜的物理气相沉积（2）—溅射法;;;;本章主要内容： 3.1 溅射物理的发展史 3.2 气体放电现象 3.3 物质的溅射现象 3.4 溅射装置 ; 3.1 溅射物理的发展史 ;返 回;3.2 气体放电现象; 气体放电是离子溅射过程的基础，下面简单讨论一下气体放电过程。设有如图3.2a那样的一个直流气体放电体系。 开始：电极间无电流通过，气体原子多处于中性，只有少量的电离粒子在电场作用下定向运动，形成极微弱的电流。 随电压升高：电离粒子的运动速度加快，则电流随电压而上升，当粒子的速度达饱和时，电流也达到一个饱和值，不再增加（见第一个垂线段）； 汤生放电：电压继续升高，离子与阴极靶材料之 间、电子与气体分子之间的碰撞频繁起来，同时外 电路使电子和离子的能量也增加了。离子撞击阴极 产生二次电子，参与与???体分子碰撞，并使气体分 子继续电离，产生新的离子和电子。这时，放电电 流迅速增加，但电压变化不大，这一放电阶段称为 汤生放电。 汤生放电后期称为电晕放电。 辉光放电：汤生放电后，气体会突然发生电击穿现象。 此时，气体具备了相当的导电能力，称这种具有一定 导电能力的气体为等离子体。电流大幅度增加，放电 电压却有所下降。导电粒子大量增加，能量转移也足 够大，放电气体会发生明显的辉光。电流不断增大， 辉光区扩大到整个放电长度上，电压有所回升，辉光 的亮度不断提高，叫异常辉光放电，可提供面积大、 分布均匀的等离子体。 弧光放电：电压大幅下降，电流大幅增加，产生弧光 放电，电弧放电斑点，阴极局部温度大幅升高，阴极 自身会发生热蒸发。;3.3物质的溅射现象;1 溅射产额;（2）溅射产额的影响因素 a、入射离子能量 入射离子的能量大小对物质的溅射产额有很大的影响，如图3.9所示。 （a) 各种物质都有自已的溅射阈值，大部分金属的溅射阈值在10~40eV，只有当入射离子的能量超过这个阈值，才会实现对该物质表面原子的溅射。物质的溅射阈值与它的升华热有一定的比例关系。表3.1是各种金属在不同入射离子的情况下的溅射阈值和升华热的数据。 (b) 随着入射离子能量的增加，溅射产额先是提高，然后在离子能量达到10keV左右的时候趋于平缓。当离子能量继续增加时，溅射产额反而下降。如下图;;b、入射离子种类和被溅射物质种类 入射离子种类和被溅射物质种类对物质的溅射产额也有很大的影响。 （a）图3.10a是在加速电压为400V、Ar离子入射的情况下，各种物质的溅射产额的变化情况。易知，溅射产额呈现明显的周期性。;c、离子入射角度对溅射产额的影响;d、靶材温度对溅射产额的影响 在一定的温度范围内，溅射产额与靶材温度的关系不大。 但是，当温度达到一定水平后，溅射产额会发生急剧的上升。 原因可能与温度升高之后，物质中原子间的键合力弱化，溅射的能量阈值减小有关。因此在实际薄膜沉积过程中，均需要控制溅射功率及溅射靶材的温升。 图3.13 （教材第63页）是在45keV的Xe离子入射的情况下，多种物质的溅射产额的变化规律。;2 合金的溅射与沉积;（2）溅射法的主要特点 与蒸发法相比，合金的溅射法最大的主要特点有： a 、在溅射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递，因此溅射出的原子将从中获得很大的能量，在沉积时，高能量的原子对衬底的撞击提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力，使薄膜的组织更致密、附着力也得到明显改善。当然这也会引起衬底温度的升高。 b、制备合金薄膜时，成分的控制性能好。 c、溅射靶材可以是极难熔的材料。因此，溅射法可以方便地用于高熔点物质的溅射和薄膜的制备。 d、可利用反应溅射技术，从金属元素靶材制备化合物薄膜。我们将在反应溅射这一节中讨论。 e、有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力，降低薄膜表面的粗糙度。 ;表3.2是从沉积原理方面对溅射和蒸发这两种薄膜制备方法 进行的总结与比较;3.4 溅射沉积装置;1 直流溅射;（3）溅射条件：工作气压10Pa，溅射电压000V，靶电流密度0.5mA/cm2,薄膜沉积率低于0.1μm/min。 （4）工作气压对溅射速率的影响 气压低，电子自由程较长，通过碰撞而引起的气体分子电离的几率较低，同时离子在阳极上溅射时发出二次电子的几率也相对较小。这些导致溅射速率很低； 随气压升高，溅射速率提高； 气压过高时，溅射出来的原子在飞向衬底的过程中受过多的散射，部分溅射原子甚至被散射回靶材表面沉积下来，因此溅射速率反