薄膜物理第四章复习.ppt

第四章 薄膜的化学气相沉积 第一节 简 介 第二节 化学气相沉积所涉及的化学 反应类型 第三节 化学气相沉积过程的热力学 第四节 化学气相沉积的动力学 第五节 薄膜生长动力学（见第五章） 第六节 化学气相沉积装置 化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD） 第二节 化学气相沉积所涉及的化学反应类型 一、热解反应 二、还原反应 三、氧化反应 四、置换反应 五、岐化反应 六、可逆反应 七、气相运输 一、热解反应(thermal decomposition/dissociation) 许多元素的氢化物、羟基化合物和有机金属化合物可以以气态存在，且在适当的条件下会在衬底上发生热解反应生成薄膜。 二、还原(reduction)反应 许多元素的卤化物、羟基化合物、卤氧化物等虽然也可以气态存在，但它们具有相当的热稳定性，因而需要采用适当的还原剂才能将其置换出来。 三、氧化(oxidation)反应 与还原反应相反，一般用氧气、二氧化碳作氧化性气体在高温下对卤化物、羰基卤化物进行氧化反应，生成氧化物薄膜； 四、置换反应（displcement reaction） 只要所需物质的反应先驱物可以气态存在并且具有反应活性，就可以利用化学气相沉积的方法通过置换反应沉积其化合物。 五、岐化(disproportionation)反应 利用一些挥发性物质的稳定性与温度有关的特点，采用不同的反应温度实现薄膜的合成； 五、岐化(disproportionation)反应 六、可逆(reversible)反应 利用某些元素的同一化合物的相对稳定性随温度变化的特点也可以实现物质的转移和沉积。 七、气相运输(vapor transportation) 当某一物质的升华温度不高时，我们可以利用其升华和冷凝的可逆过程实现其气相沉积。例如： 第三节 化学气相沉积过程的热力学 一、化学反应自由能变化 二、化学反应路线与化学反应平衡的计算 一、化学反应自由能变化 一个化学反应总可以表达为 一、化学反应自由能变化 一、化学反应自由能变化 一、化学反应自由能变化 一、化学反应自由能变化 一、化学反应自由能变化 若想得到稳定的单晶生长条件，一个最基本的做法就是引入一个生长核心，同时要抑制其他核心形成的倾向。 根据晶体的形核生长理论，要满足晶体的生长条件，就需要新相形成自由能ΔG0；但同时抑制其他晶核的形成，确保单晶生长条件，就需要ΔG在数值上接近于零。 若ΔG为负值但其绝对值很大时，将有大量的新相核心同时形成，破坏所需的单晶生长条件，其转变产物只能是多晶体。 第四节 CVD的动力学 一、流动气体的边界层及影响因素 二、生长速率控制因素 一、简 介 CVD装置往往包括以下几个基本部分： （1）反应气体和载气的供给和计量装置； （2）必要的加热和冷却系统； （3）反应产物气体的排出装置。 如同在物理气相沉积时的情形一样，针对不同的材料和使用目的，化学气相沉积装置可以具有各种各样不同的形式。并且，在CVD装置中也可以采用各种物理的手段，如等离子体或热蒸发技术等，这些均使得CVD装置的功能更加强大。下面我们着重介绍一下几种最基本的CVD装置。 CVD法分类 二、高温(700-1200oC)装置 高温(700-1200oC)CVD装置 三、低压CVD（LPCVD）装置 工作压力100PaP0.1MPa 三、低压CVD（LPCVD）装置 四、金属有机化合物CVD（MOCVD）装置 以金属有机化合物作为前驱物，前驱物经历分解或热解反应生成薄膜。适合制备单组分、多组分半导体材料、光电材料、氧化物、金属等薄膜材料。 表征流动有雷诺数Re： Re=?VL/? ?：混合气体的密度；V：混合气体的流速； L：水平反应器的长度（直径）；?：流体粘滞度。 则： ?=5L(1/Re)1/2 V?? Re? ? ??，Re???? Re1200，气流结构是层流 Re2200，气流结构是湍流 Re相当于流动气体的动量与容器壁造成的拖拽力之比，因而流动速度越慢，气体密度越小，真空容器或管路尺寸越小，粘滞系数越大，则越有利于形成层流状态。 对于一般的CVD过程来说，总希望其工作在层流状态的气体流动状态。 一、简介 CVD装置基本组成 （1）反应气体和载气的供给和计