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电泳法在ni-w基带上沉积ybco超导层的研究、论文
电泳法在Ni-W基带上沉积YBCO
超导层的研究
Study of preparing YBCO superconducting thick films on Ni-W substrates by electrophoretic deposition
摘 要
高温超导带材是当今超导领域研究的热点,由于Y系超导体在液氮温区(77K)仍具有良好的高场性能,与Bi系相比有更好的应用前景。Y系超导带材的制备主要采用在柔性金属基底上淀积YBaCuO超导膜的方法。沉积方法有脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射与金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和有机化学沉积等,这些制膜技术设备造价高、工艺复杂。涂层导体结构一般分为三层以上,有基带,缓冲层和超导层。本文采用低成本的电泳沉积方法,在涂覆(LaSr)TiO3的Ni-W基带上淀积YBaCuO厚膜。该方法设备简单、操作容易,可以实现大面积制膜。
本文采用固相反应法制备单相YBaCuO超导粉末,作为电泳沉积原料;并讨论了影响电泳沉积过程的各种工艺参数,确定了YBaCuO厚膜的最佳沉积条件;运用X射线衍射仪研究了基片的晶体取向和相组成,分析了缓冲层和工艺参数对超导层的影响;利用标准四引线法测量临界电流密度。
在固相反应法制备YBaCuO超导粉末时,原料Y2O3 、BaCO3和CuO,按原子比Y:Ba :Cu=1:2:3配比混料,然后充分研磨,反复烧结,尽可能反应完全,得到单相的Y123超导粉末。通过每次烧结后样品的XRD检测,逐渐改变烧结温度,最终确定合成YBa2Cu3O7-δ的温度大约在900℃左右。
电泳沉积在极间距为2.5cm的电泳容器中进行,丙酮加入量为150ml,YBaCuO超导粉末浓度为3g/L左右。沉积膜厚度随着沉积电压和沉积时间的增加而增加,以最快沉积速度为基准,确定最佳工艺条件为外加直流电压300V。沉积完成时间一般30~40minaCuO易与水发生水解反应,因此在沉积电解液中加入少量的水,提高了溶液的电导率,可使沉积速度加快。通过不同粒度分布的YBaCuO粉末比较发现粉末越细,越有利于沉积,而且沉积膜表面越平整。最终确定YBaCuO超导粉末粒度大约在320目(0.045mm)YBaCuO沉积膜的热处理温度以800℃为最佳,在高纯氩气氛下恒温1小时就能达到固化效果,此时没有裂纹出现,并且YBaCuO膜并没有发生还原性反应。然后降温至400℃通入氧气,恒温2h,以达到吸氧的目的,使YBaCuO由四方相转变为正交的超导相。
关键词:YBaCuO粉末,电泳沉积,YBaCuO膜,沉积膜热处理Abstract
High-temperature superconducting tapes is currently a hot issue in the superconducting research field.As Y-based superconductor at liquid nitrogen temperature (77K) still has the good performance of high field,it shows a better prospect than Bi system.The preparation method of YBCO superconducting tapes mainly is that depositing YBaCuO superconducting films on the flexible metal substrates.Deposition methods such as pulsed laser deposition (PLD),magnetron sputtering,metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and metal-organic deposition,have the shortcomings of high cost of deposition technology and equipment or complex process.The structure of coated conductor is generally divided into three or more,substrate,buffer layer and superconductor layer.This paper uses the low cost the electrophoretic deposition method to prepare YBaCuO thick film on (LaSr)TiO3 /Ni-W substrates.The method is s
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