项目五 半导体二极管及半导体三极管放大电路(少学时).ppt

3、极限参数 (1). ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 (2). PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 (3). U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO 已知: ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V， 当 UCE = 10 V 时，IC mA 当 UCE = 1 V，则 IC mA 当 IC = 2 mA，则 UCE V 10 20 20 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 例1: ? = 50， USC = 12V RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管处于何种工作状态？ 解：当USB =-2V时： IC UCE IB USC