宽禁带半导体器件对比.docVIP

宽禁带半导体功率器件 刘海涛　陈启秀 　　摘要　阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。　　关键词　宽禁带半导体　功率器件　碳化硅　金刚石 Wide Bandgap Semiconductor Power Devices Liu Haitao,Chen Qixiu (Institute of Power Devices,Zhejiang University,Hangzhou 310027) 　　Abstract　The paper presents the main characteristics of wide bandgap semiconductors,and elaborates the latest development of SiC and diamond power devices.At the same time,the future development of SiC and diamond power devices is forcasted.　　Keywords　Wide bandgap semiconductor　Power devices　SiC　Diamond 1　引　言 　　由于Si功率器件已日趋其发展的极限，尤其在高频、高温及高功率领域更显示出其局限性，因此开发研制宽带半导体器件已越来越被人们所关注。所谓宽带半导体（WBG)主要是指禁带宽度大于2.2电子伏特的半导体材料，包括Ⅱ—O、Ⅱ—S、Ⅱ—Se、Ⅲ—N、SiC、金刚石以及其他一些化合物半导体材料。这些材料一般均具有较宽的禁带、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率，因此他们比Si及GaAs更适合于制作高温、高频及高功率器件。其中Johnson优值指数（JFOM＝Ec.vs/2π，Ec为临界电场；vs为电子饱和速率）、Keyes优值指数（KFOM＝λ［C.vs/4πε］1/2，其中C为光速；ε为介电常数）和Baliga优值指数（BFOM＝εμEG3,其中EG为禁带宽度，μ为迁移率）分别从功率频率能力、耐热能力及导通功率损耗三方面说明了这一科学事实［1］。表1［2］列出了常见宽带半导体与Si,GaAs的比较。 　　　　　表1　宽禁带半导体材料的基本特性 材料特性 Si GaAs βSiC 4H-SiC GaN AlN 金刚石 禁带宽度／eV 1.1 1.43 2.2 3.26 3.45 6.2 5.45 电子饱和速率/×107cm.s-1 1.0 1.0 2.2 2.0 2.2 　 2.7 迁移率／cm2.V－1.s－1　　　　　　电子　　空穴 1500600 8500400 100050 114050 1250850 　 22001600 击穿电场／×105V.cm－1 3 6 20 30 10 　 100 介电常数 11.8 12.5 9.7 9.6～10 9 8.5 5.5 电阻率／Ω.cm 1000 108 150 1012 1010 1013 1013 热导率／W.cm－1.K－1 1.5 0.46 4.9 4.9 1.3 3.0 22 Johnson优值指数／×1023W－1.Ω－1.s－2 9.0 62.5 2533 4410 15670 　 73856 Keyes优值指数／×102W.℃.cm－1.s－1 13.8 6.3 90.3 229 118 　 444 Baliga优值指数（相对于Si而言） 220 394 650 815 1060 3000 2727 　　由表1可知宽禁带半导体具有许多优点：1)WBG具有很高的热导率(尤其是SiC与金刚石),使得它们能够迅速转移所产生的热量，广泛用于高温及高功率领域；2)由于WBG的禁带宽度很大，因此相应器件的漏电流极小，一般比Si半导体器件低10～14个数量级，有利于制作CCD器件及高速存储器；3)WBG具有比普通半导体更低的介电常数及更高的电子饱和速率，使之比Si，GaAs更适合于制作毫米波放大器及微波放大器。除此之外，WBG还具有负的电子亲和势及很高的异质结偏置电势，使得它们特别适合于阴极发射的平板显示器。　　鉴于近几年SiC与金刚石材料的生长技术及氧化、掺杂、欧姆接触等工艺的成熟，使得SiC与金刚石器件得到了突飞猛进的发展，下面我们将主要评述SiC及金刚石的最新发展。 2　SiC功率器件 　　近年来SiC功率器件的研究引起了世界科学界的高度重视,尤其是美国、欧洲等发达国家为此投入了大量的资金；同时也涌现出一批新型的SiC功率器件，主要包括LED发光器件、pn结及肖特基整流器件、FET、双极晶体管及晶闸管。 2.1　SiC二极管整