一种214ghz的cmos注入锁频倍频器-journalofsemiconductors.pdfVIP

第 26 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 5 2005 年 5 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　May ,2005 一种 24 GHz 的 CMOS 注入锁频倍频器 衣晓峰 　苏彦锋 　朱 　臻 　洪志良 ( 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 , 上海 　200433) 摘要 : 介绍了一种用于频率综合器的24 GHz CMO S 注入锁频倍频器的设计和实现. 从理论上重点分析了模拟倍 频器的锁频范围和相位噪声特性. 当电源 电压为 33V ,输入信号为 400mV 时 , 电路输出幅度为 104V ,功耗为 495mW ,未经电容阵列补偿时倍频器的锁频范围达到 1137M Hz . 电路应用在单片集成的蓝牙发接器中 ,通过频 率测试验证了电路功能的正确性. 关键词 : 注入锁频倍频器 ; 锁频范围; 相位噪声 ; 频率综合器 EEACC : 1205 ; 1230 G ; 1285 中图分类号 : TN77 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 1 　前言 2 　注入锁频倍频器 随着无线市场的快速发展 ,单片集成的 RF 发 ( ) 图 1 a 所示为注入锁频倍频电路的电路图. 实 接器成为研究的重点. 高谱纯度 、低功耗的频率综合 现注入锁频倍频电路的思想来源于振荡器的受迫振 器成为人们追求的目标[ 1 ] . 由于衬底和电源耦合的 荡现象 :当输入信号的频率接近振荡器的谐振点时 , ( ) 缘故 ,当功率放大器 PA 等大功率模块工作时 ,所 输入信号只要很小的能量就可 以引起振荡器的共 ( ) 产生的大功率信号会对压控振荡器 V CO 产生干 振. 如果让一个信号通过一个非线性网络 ,产生该输 扰 ,发生“频率牵引”,从而影响 V CO 的振荡频率. 入信号的高阶谐波 ,再利用一个窄带滤波器将希望 通常利用倍频的V CO 来避开 PA 的干扰 ,但却增大 保留的二阶谐波分量保留下来 ,滤除其它谐波分量 , 了 V CO 和预分频器的设计难度 , 同时系统功耗也 就可以实现倍频器了. 图 1 (b) 所示为所选用的单端 大大增加. 采用半频的 V CO 也可以杜绝这种干扰 , 负阻 L C 振荡器 ,从电感两端看进去 ,有源晶体管和 2 并可以大大降低预分频器的工作频率 ,从而降低了 电容构成了负阻 ,其阻值为 - g / ( C C ω) ,从而抵 m 1 2 预分频器的功耗和设计难度 ;较低的工作频率为实 消了由于电感内阻引入的能量损耗[3 ] . 由图 1 (b) 所 现高性能、低功耗的 V CO 提供了便利 ; 同时倍频器 示的负阻振荡器经过简单的修改就可以得到如图 1 还可以为 V CO 提供一级缓冲 , 防止后级 电路对 (a) 所示的倍频器. 晶体管 M 1 到 M4 构成了非线性 V CO