双极型模拟集成电路-Read.PPT

第六章 双极型模拟集成电路 集成化元、器件及其特点 集成差分放大电路 电流模电路 功率输出级电路 集成运算放大器 第一节 集成化元器件及其特点 2 电路元件制造工艺 基区扩散 发射区扩散 蒸铝 NPN 二、 集成化元器件 1. NPN晶体管 在P型硅片衬底上扩散N＋隐埋层，生长N型外延层，扩散P型基区，N＋型发射区和集电区 2. PNP晶体管 从隔离槽P＋上引出集电极，载流子沿晶体管断面 的垂直方向运动 (2)横向PNP管 发射极和集电极横向排列，载流子沿断面水平运动。 3. 二极管 晶体管制作时，只要开路或短路某一PN结即得（如图）: 4. 电阻：（一般有两种） （1）金属膜电阻:温度特性好 （2）扩散电阻，按结构分： 基区电阻: 50?－100K? ?＝±20% 发射区电阻: 1－1000 ? （电阻率低） 窄基区电阻: 电阻率高 10－1000K ?＝±20% 虽集成化电阻阻值误差大，但为同向偏差，匹配误差小（小于3％） 5. 电容 利用SiO2保护层作绝缘介质，用金属板和半导体作电容极板。 电容量与氧化物厚度成反比，与极板面积成正比，单位面积电容量不大，但漏电较小、击穿电压较高。 二 集成化元器件特点 4. 集成电路中寄生参量的存在会引起元件间的寄生耦合，影响电路稳定，使电路产生寄生振荡。 第二节 集成差分放大电路 （一）差分放大电路的组成： 由对称的两个基本放大电路通过射极公共电阻Ree耦合构成。 双端输入：输入信号接在两个输入端间。 单端输入：输入信号接在一个输入端与地间，另一端接地。 （二）对差模信号的放大作用 差模信号：是指在差放两个输入端接入两个幅度相等、极性 相反的信号，记为，Uid1 、Uid2 Uid1 = - Uid2 = Uid 双端输入双端输出时： （三）对共模信号的抑制作用 共模信号：是指在差放两个输入端接入两个幅度相等、极性相同的信号。 记为：Uic1 .Uic2 ； Uic1 = Uic2 = Uic （四）对任意输入信号的分析 输入Ui1, Ui2 可写为： Ui1=(Uic1 + Uid1) Ui2=(Uic2 + Uid2) （五）差放的输入和输出方式 差放的差模工作状态可分为四种： 双端输入、双端输出（双－双） 双端输入、单端输出（双－单） 单端输入、双端输出（单－双） 单端输入、单端输出（单－单） 1.单端输入方式： 相当于 Ui1= Ui , Ui2 = 0 , 则可分解为一对差模信号和一对共模信号。 2.单端输出方式： 二、恒流源差分放大电路 恒流源电路优点：低的直流内阻，高的动态内阻。 * 第二节 第一节 第五节 第四节 第三节 一 集成电路工艺简介 以制造NPN管的工艺流程为例 氧化 光刻 隐埋层扩散 外延和氧化 隔离扩散 选择隔离槽 P型硅片 1. 平面工艺 选择基区 选择发射区 选择电极 引线窗口 选择要去 除的铝层 集成电路的封装 (b)圆壳式 (a)双列直插式 隔离岛 隐埋层 扩散P型基区 1)纵向PNP管 优点： 制造方便 基区较NPN宽 特征频率高 输出电流大 缺点 由于隔离的需要，C极必须接电路电源最低电位 常作射极跟随器。 优点： 因为由轻掺杂的P型扩散区和N型外延区构成，e结和c结反向击穿电压高 缺点： 由于加工原因，基区宽度比普通NPN大1－2个数量级，?很小，特征频率低。 常用的两种形式 MOS电容： 1. 集成电路工艺不能制作电感，超过100pF的大电容因占用面积大也不易制作，故集成电路中不采用阻容耦合，而采用直接耦合。 2. 集成化电阻阻值越大占用硅片面积越大，一般避免用大电阻，尽量用晶体管代替电阻、电容。 3. 单个元件的精度不高，受温度影响大，但同一晶片上相邻元件在制作尺寸和温度上有同向偏差，对称性好，故大量采用差放电路及增益取决于电阻比值的负反馈放大器。 一、差分放大电路的工作原理： Rb1= Rb2 = Rb, Rc1= Rc2 = Rc, ?1= ?2 = ?, hie1= hie2 = hie, 对称指两个三极管特性一致、电路参数相等： IbQ1= IbQ2, IcQ1= IcQ2, Ube1= Ube2, Uc1= Uc2, 静态参数一致： 双端输出时：静态输出为 0 问题？ 为什么单边电路没有 偏置电阻？ 为什么电路中没有 隔直电容？ 双端输出（平衡输出）： 输出取自两个集电极之间。 单端输出（不平衡输出）： 输出取自一个集电极与地间。 信号输入方式