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微米电流镜分析与研究建国科技大学
0.35微米電流鏡分析與研究
1 2
陳天祐 ,李元彪
漢民科技股份有限公司 1
建國科技大學 2
摘要
本論文主要對於電流鏡深入分析與研究,針對基礎電流鏡、疊接電流鏡、wilson
電流鏡、 Widlar 電流鏡,使用 Hspice軟體進行模擬分析與研究。並研究不同溫度與
NMOS 不同長寛對電流鏡輸出電流所產生的影響。本研究使用之軟體主要為 Synopsys
公司所出品的 Hspice軟體。此外,所採用主要元件為國家晶片中心 (CIC)所提供之台灣
積體電路股份有限公司 (TSMC)之 0.35μm 標準製程的互補型金屬氧化物 半導體場效電
晶體 (CMOS) 。
關鍵字:電流鏡、 CMOS 、TSMC 0.35μm
一、前言 電路的研究與分析主要以國家晶片中心
獨立電流源在晶片內部的應用極為廣 所提供之 TSMC 0.35μm 2P4M製程為依據。
泛,要求電流相對穩定且較不受外接電路的 同時各種電流鏡在不同工作溫度下模擬,不
影響。電流鏡是為廣泛應用在現在的積體電 同負載量,對為電流鏡輸出的影響。
路中的穩定電流,在現今電子電路設計中不
可或缺。而且,在積體電路製作時 NMOS都 二 、基本N-MOSFET原理
在相同狀況下製作,其特性幾乎完全相同,
N-CHANNEL MOSFET 物理結構
所以很容易製作成電流鏡。各種積體電路幾
FET 有許多不同的類型,此處先介紹最
乎都要需要搭配各種電流源,而且電流幾乎
常見的 MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor
不受輸出端電壓變動的影響,即是電流源的
Field Effect Transistor) ,雖然FET的種的種很
目的。
多,但它們的工作原理皆與MOSFET 相似,
電流鏡被廣泛應用在電路中被當作是一 所以清楚 MOSFET的結構及工作原理之後,
個不太會消耗多餘的電壓的元件。在數位類 學習其他種類 FET 便比較容易。另一個好消
比混合晶片設計中電流鏡廣泛被使用,舉例 息是 FET的工作原理比 BJT簡單,非常容易
來說,有些數位類比轉換器(D/A )使用電流 理解。
鏡陣列來產生與數位輸入信號成比例之類比
輸出信號。
圖 1. n-channel MOSFET的物理結構 , P型半導體內的多數載子是電洞,但是仍存在
乍看之下,它與 NPN型的 BJT 非常的相似, 少數的自由電子,其濃度為:
但兩者之間有所不同,FET中間的 P 型半導
2
n
i
體並未刻意像 BJT的 Base 一樣做很很薄。〔備 nP ( 1 )
N
A
註:在實際 IC 製作中,還是會儘量將 P
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