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Xiner APPLICATION NOTE 深圳芯能半导体技术有限公司 应用手册 AN-1003 驱动集成电路功率级中瞬态问题的处理 1．驱动IC产品范围 芯能为用户提供多种从单相到三相桥的驱动集成电路。所有类型 都使用了高集成的电平转换技术，简化了逻辑电路对功率MOS管的控 制。 作为前沿技术，要求能在更高速度下开关更大的电流，杂散参数 的不利影响日趋明显和受到高度重视。本文的目的是找出它们的根源， 量化驱动IC对可能引起问题的免疫力，最后，如何获得最大的安全区。 2．桥式电路中的杂散元素 图1描述了一个驱动IC驱动由两个MOSFET组成的典型桥式电路，功 率电路中，由器件内部的连线、引脚和PCB线组成的无用电感统一用 LS1.2和LD1.2表示。 另外还有栅极驱动电路中的杂散参数，在布线路板时也应考虑。 在此我们将主要讨论有最大的电流和di/dt发生的桥式电路本身。在 开关期间，桥式电路中快速变化的电流将会在杂杂散电感中产生电压 瞬变。这些瞬变会耦合到其它电路中引起噪声问题，增加开关损耗， 甚至在最坏情况下损坏IC。 Vp LD2 Q2 Vp HO LS2 VS TO LOAD LD1 LO Q1 COM DRIVER IC VS=COM t LS1 -VS Vn 图1. 半桥电路中的杂散元素 3．VS负过冲原因 由于问题是由杂散电感引起的，随着器件的开关，对驱动IC来说， 最主要的问题是VS会负过冲到参考地以下。 相反，正过冲一般不会出现问题，芯能公司已经验证的HVIC工艺 具有耐高电压能力。 当桥电路负载为感性时，高端器件的关断会引起负载电流突然转 换到低端的续流二极管，由于二极管开通延迟，正向压降和杂杂散电 感LS1+LD1使VS点负过冲到参考地以下，如图1所示。在死区时间内， 如果负载电路不能完全恢复，当低端器件硬开通时，会发生VS负过冲 或振荡。 4．VS负过冲对驱动IC的影响 芯能公司的驱动IC保证，相对于COM ，VS至少有8V 的负过冲能力， 如果负过冲超过这个水平，高端输出将暂时锁定在其电流状态，VS 保持在绝对最大极限内，IC将不会损坏。当负过冲超过VS 的负过冲能 力后，高端输出将不响应输入控制信号。这种模式应当注意，但在大 多应用中是可以忽略的，因为随着开关事件的发生，高端通常不要求 很快改变状态。 5．如何避免锁定 附录1显示了驱动IC的内部典型寄生二极管结构。对于任何CMOS 器件，使这些二极管正向导通或反向击穿都会引起寄生的可控晶闸管 (SCR)锁定，锁定的最终后果难以预料，有可能暂时错误地工作到完 全损坏器件。 驱动IC也许会间接