第2章光电探测12013.3.29.ppt

硅光电池——太阳电池 光电池也称光伏电池，实质上就是大面积的PN结，工作在光导模式。 由于光电池常常用于把太阳光能直接变成电能，因此又称为太阳电池。 光电池的种类很多，如有晒光电池，氧化亚铜光电池，锗光电池，砷化镓光电池，硅光电池等等。目前，应用最广的是硅光电池。硅光电池的价格便宜，光电转换效率高，光谱响应宽(很适合近红外探测)，寿命长，稳定性。 硅光电池的用途大致可分为两类： 第一类是用做光电探测器件使用；第二类是用做电源。 作为光电探测器件，广泛用于近红外辐射的探测器、光电读出，光电耦合，激光准直，光电开关以及电影还声等。这类应用要求光电池照度特性的线性度好。 作为电源，广泛用做太阳能电池，作为人造卫星、野外灯塔、无人气象站、微波站等设备的电源使用。此类应用主要要求价廉，输出功率大。 在P型硅片上扩散硼形成N型层，并用电极引线把N型和P列层引出，形成正负电极。为防止表面反射光，提高转换效率，通常在器件受光面上进行氧化，形成SiO2保护膜。 光电池结构 G + - ?? Si 钢片 透明电极 引出电极 绝缘层 硅光电池 测量硅光电池的主要功能是光电探测，即在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号，此时对它的要求是线性范围宽、灵敏度高、光谱响应合适、稳定性高、寿命长等。它常被应用在光度、色度、光学精密计量和测试设备中。 N P XN XP 自偏工作状态 硅光电池光探测原理 A 测量硅光电池的主要功能是光电探测，即在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号。 硅光电池的受光面的输出电极多做成如图所示的梳齿状或“E”字型电极，目的是减小硅光电池的内电阻。 ?开路电压和短路电流： 对应负载RL=?和RL=0两种情况。 ?硅光电池的光电转换效率： 将硅光电池的输出功率与入射辐射通量之比，定义为硅光电池的光电转换效率。 光电池的基本特性参数 光电池的光谱响应曲线 光电池外形 光敏面 光生伏特效应：在光线的作用下,物体产生一定方向电动势的现象. 能提供较大电流的大面积光电池外形 其他光电池及在照度测量中的应用 柔光罩下面为圆形光电池 光电池在动力方面的应用 太阳能赛车 太阳能电动机模型 太阳能 硅光电池板 光电池在动力方面的应用（续） 太阳能发电 光电池在动力方面的应用（续） 光电池在人造卫星上的应用 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件的电学性质或其它物理性质发生变化。 二、光热效应 光热效应。原则上，光热效应与单光子能量h?的大小没有直接关系对光波频率没有选择性。只是在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就更强烈，广泛用于红外光辐射的探测。 半导体材料吸收光后引起晶格振动加剧，即温度升高，使更多的电子被激发到导带，电导率增大。例如，在硅中，当温度从250 K 增加到450 K 时，激发电子的数目增加106 倍。 ? 半导体材料的热电导效应 Eg 导带 价带 T1 T2 相反，吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子做定向运动。因此，当光作用于金属材料使其温度升高的同时，其电阻还略有增加。即金属材料有正温度系数，而半导体材料有负温度持性。 ? 金属材料的热电导效应 导带 价带 一般金属的能带结构外层无禁带，由于自由电子密度很大，以致外界光作用引起的自由电子密度的相对变化可以忽略不计。 温差电效应 当把A、B两种不同的金属或半导体联结成一个闭合回路时，如果两个接头处的温度T1和T2不同，那么，这两个接头之间就会产生电动势（称为温差电动势）， 在回路中就会产生电流（称为温差电流），这个回路称为热电偶或温差电池。这个效应称为温差电效应。是德国物理学家塞贝克（T.J.Seebeck，1770—1831）于1821年发现的,因此又称为塞贝克效应。 如果把回路的一端分开并与一个电表连接，如图（b）所示。当光照熔接端(称为电偶接头)时，电偶接头吸收光能温度升高，电表就有相应的电流读数，电流的数值就间接反映了光照能量大小。这就是用温差电效应探测光辐射的原理。 温度升高是热积累作用，所以光热效应的响应速度一般比较慢，而且容易受环境温度变化的影响。 但有一种所谓热释电效应，它比其它光热效应如熟知的温差电效应的响应速度要快得多，并已获得日益广泛的应用。下面我们介绍这种热释电效应。 热释电效应 热释电效应是热电晶体在温度变化时产生的一种现象。在非中心对称结构的极性晶体中，例如硫酸三甘肽、铌酸锂、铌酸锶钡等，即使在无外电场和应力的条件下，本身也会产生自发电极化。由于自发极化，在垂直于电极化矢量Ps的晶体表面上出现面束缚电荷，面电荷密度?s＝|Ps|。热电体的|Ps|决定了面电荷密度?s的大小，当|Ps|发生变化时，面电荷密度?s也跟着变化