晶体管放大倍数β检测电路的设计.docVIP

课题五晶体管β值数显测量电路 一、实验目的 1、设计任务 设计一个低频小功率NPN型硅三极管共射极电流放大倍数β值测量电路。 2、基本要求 （1）β值的测量范围为50 ～ 250。 （2）接入晶体管后自动显示被测晶体管的β值，当没有接入晶体管时数码管显示为零。 （3）当接入晶体管的β值不在测量范围时，用发光二极管指示。 （4）测量精度为±5%。 （5）测量响应时间t1S。 3、扩展要求 （1）分档指示功能，当β值为50～100，100～180，180～250时，分别用发光二极管指示。 （2）能测量PNP管的β值。 二、实验原理 由设计要求可知只要将被测晶体管的β值转换为对应的电压值，对β值的测量转变为对电压的测量。将此电压进行比例调整后，进行A/D转换，然后进行译码显示即可。其原理框图如图2-5-1所示。 三、单元电路设计参考 1、β/V转换电路 基本思路为：对被测晶体管输入一固定值的基极电流，则其集电极电流Ic=βIb，然后将集电极电流转换为电压即可。 基极电流的设置可以采用如下两种方式。其一、如图2-5-2所示，选择恰当的基极偏置电阻Rb实现基极电流设置。 其二，利用恒流源实现基极电流的设置，如图2-5-3所示。这种方式的优点是可以对锗管设置基极电流而不需要改变电路结构或元件参数。由于要提供很小的基极电流，恒流源可以