ITO成膜工程.docVIP

ITO 成膜工程 前言 ITO 透明導電膜其組成成份為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide)，在著色工程後將鍍上一層ITO膜，做為與TFT驅動電路連接的共通電極。其可視光透過率60%以上(愈高愈好)，Sheet抵抗值10的8次方Ω∕□以下(低)。其中強調低阻值時需標明膜厚才有意義----Rs(Ω∕□) = ρ(Ω.cm)/d(cm) Sheet抵抗值 Rs（Ω/□）＝ρ（Ω/cm）/d（cm） 抵抗率ρ＝1/（q×n×μ） q＝1.602×10－19C n＝電子密度（2.7×10-21cm-3）ex.銀（60×10-21） μ＝電子移動度（36cm2/v2） ※為了提高電子密度，會加入Sn，Sn添加後會多結合一個原子，並釋放出電子，造成電子密度增加；但多餘的Sn變成不純物造成電子移動度下降。 最高品質ITO膜的抵抗率＝6.8×10-5Ω.cm 成膜方式 化學方法 塗佈 CVD 熱CVD，Hasma，CVD 物理方法 真空蒸著法 抵抗加熱及EB蒸法 Ion Plating ARE(效果最好) ，成本高 Sputter 最適合量產 Sputter的種類 方法 回火 成膜溫度 膜厚 高溫成膜 無需回火 1st約140℃(約1.9kw)， 2st約200℃(3.8-4.0kw) 200A，1300A 低溫成膜 真空回火 About 140℃ 1500A 大氣回火 About 140℃ 1500A Fab2 ITO Sputter can change to Fab1 (Fab1低溫成膜，Fab2高溫成膜) ITO 膜厚之決定方式 用電阻值及透過光性得最適當的膜厚 調整膜厚 現在電力值×1500A÷膜厚實測值＝變更電力值 ITO 光學特性 Transmission 0.95 膜厚增加，整個波形平移 0.9 0.8 0.7 ※不同的膜厚會有不同的Max，找出最大值來補足B(B在RGB中其Max最小) ※其中400～700nm為人眼可視範圍 ※RGB之波長及穿透率 Tranmission nm Sputter 原理 在Chamber內導入氬及氧之混合氣體，通以直流電。當氮氣體分子(帶正電位)受到負極的影響撞擊Target的表面時，將靶材濺射至Glass基版上，形成一層透明導電膜。 ※ 磁石會移動Target，使其增加使用效率(about30多%) 基板溫度對ITO膜的關係 基板溫度高對ITO膜阻抗降低但因高溫，著色層會昇華造成不純物、色味降低，其中以R最嚴重。其關係由圖1、2表示。其對應方法以2層化ITO膜。 Ω/□ 99 B 97 20 R G 2層化ITO膜 RGB為大氣加熱，故Post-bake的溫度約240℃。 R G B ITO 熱量 ITO為真空加熱，影響大，溫度約20 Target的要求 Cr ITO 純度wt % 99.9(3N) 99.99(4N) 密度 % 7.1g/cm3 98% (比重7.19) (比重7.18) Target均一性品質要求 高溫長時間燒成 ITO膜和應力關係 高 低 低 高 溫度 壓力 原子收縮就有產生應力 IT