1356mhz低频功率对60mhz射频容性耦合等离子体的电特性的影响!.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $( ## %%’ ## ， ， ， U@9 3$( T@ 3 ## T@VD6WDH %%’ （ ） #%%%5.=%-%%’-$( ## -(%.’5% QAFQ 1+RSEAQ SETEAQ !%%’ A8I 3 1:B 3 S@? 3 ! # $% ’( 低频功率对%) ’( 射频 容性耦合等离子体的电特性的影响! 袁强华 辛 煜 黄晓江 孙 恺 宁兆元! （苏州大学物理科学与技术学院，薄膜材料江苏省重点实验室，苏州 #$%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%’ ( %%’ ) ## 使用补偿朗缪尔探针诊断技术，研究了% *+,- #. /$ *+, 双频激发容性耦合等离子体的空间电子行为，得到 了电子能量概率函数（ ）随径向位置和低频输入功率的演变行为 实验结果表明， 射频输入功率的 0012 3 #. /$ *+, 变化主要影响低能电子的布居，其影响随气压升高而加大 在等离子体放电中心以外， 呈现出双峰分布的特 3 0012 性，同时发现从放电中心到极板边缘，次能峰有逐渐向高能区漂移的现象，次能峰的出现显示了中能电子的增强的 加热效应 通过 方法，计算了等离子体的电子温度、电子密度 讨论了等离子体中的电子加热机理 3 0012 3 3 关键词：双频激发容性耦合等离子体，朗缪尔探针诊断，电子加热模式 ： ， ， *+,, $$%4 $’%4 $(%4 ［］ 人# 采用1EA- *A 数值模拟的研究表明实现离子通 #/ 引 言 量和能量的独立调控的关键控制参数是高、低频射 频源的驱动频率之比，其比值大则容易实现两者的 ［— ］ 传统的#. /$ *+, 射频激发的等离子体源广泛 独立调控 ) 3 FGHIDH 等人 采用分析模型显示了低 应用于微电子工业中，其中的多道工序，诸如薄膜的 频电流影响425AA1 空间结构甚至改变等离子体加 ［，］ 刻蚀、沉积、溅射及其他表面处理都离不开等离子体 热机理的特征 ( 3 J86 等人 引入了有效频率、有效 加工 由于单频驱动的容性耦合等离子体（ ）无 3 A