52电力晶体管gtrprt.pdfVIP

上节课内容回顾 5.1 门极可关断晶闸管（GTO ） 5.2 电力晶体管（GTR、PRT ） 5.3 电力场效应晶体管（P-MOSFET ） 5.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT ） 5.5 其他全控型电力电子器件 5.6 模块和智能功率模块（IPM ） 5.7 电力电子技术发展概貌 5.8 电力半导体器件和装置的保护 5.3.4 P-MOSFET的特点 属电压控制器件 无存储时间 优点 安全工作区宽 导通电阻大 缺点 5.3.4 P-MOSFET的特点 属电压控制器件 为使MOS管导通，只需在栅源极间加一电压 （一般8 ～10V ）即可。 具有高输入阻抗 无存储时间 属多数载流子导电器件（不是靠少数载流子的注 入和复合），所以没有少子存储效应和固有的开 关延迟时间。 开关速度比GTR快一、二个数量级，仅为 （10 ～100 ）ns ，开关损耗也几乎可以忽略不计。 5.3.4 P-MOSFET的特点 安全工作区宽 热稳定性好。 导通电阻大 P-MOSFET导通期间不是呈现一定的导通压 降，而是存在一导通电阻，对高压器件其导通电 阻比较大。 5.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT ） 问题的提出 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，通流 能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动 电路复杂。 MOSFET的特点——单极型，电压驱动，开关速 度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小 而且驱动电路简单。 两类器件取长补短，结合而成复合器件。 5.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT ） 绝缘栅双极晶体管 （insulated-gate bipolar transistor——IGBT ） GTR和MOSFET （VDMOS ）的复合，结合二者的 优点 1986年投入市场，中小功率设备的主导器件 继续提高电压和电流容量，可望再取代GTO的地位 1 ）IGBT的结构特点 + 在VDMOS的基础上增加了一个P 层漏极（注入 区），具有很强的通流能力 相当于一个由n沟道MOSFET驱动的厚基区pnp 型GTR。 是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的 复合管（GTR与MOSFET组成的达林顿结构）。 G （栅极）S （源极） D 源区 + + + + Rdr 体区 n n n n p j 3 G 漂移区 p 缓冲区 n- iD j 2 + 注入区 n p+ j 1 S D （漏极） 1 ）IGBT的结构特点 电阻Rdr为GTR厚基区内的扩展电阻。 为了兼顾习惯，有时也将IGBT的漏极称为集电 极（C ），源极称为发射极（E ）。 G （栅极）S （源极） 源区 + + + + 体区 n n n n p j 3 漂移区