掺锰氧化锌自旋注入和磁光倍增效应之研究与光电元件之开发.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 摻錳氧化鋅自旋注入和磁光倍增效應之研究與光電元件之 開發 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 99-2221-E-027-061- 執 行 期 間 ：99年08月01日至 100年07月31日 執 行 單 位 ：國立臺北科技大學光電工程系（所） 計 畫 主 持 人 ： 陳隆建 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：張恆瑞 碩士班研究生-兼任助理人員：陳鈺琪 博士班研究生-兼任助理人員：田青禾 博士班研究生-兼任助理人員：陳正強 博士班研究生-兼任助理人員：吳家任 報 告 附 件 ： 赴大陸地區研究心得報告 處 理 方 式 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，1年後可公開查詢 中 華 民 國 100 年 10月 04 日 摻錳氧化鋅自旋注入和磁光倍增效應之研究與光電元件之開發 陳隆建田青禾 陳正強 吳家任張恆瑞 陳鈺琪 國立台北科技大學 光電工程系 台北市忠孝東路三段 1號 (ocean@ntut.edu.tw, NSC 99-2221-E-027-061) 摘要本研究係利用液相化學氣相沉積法沉積稀磁性半導體摻錳氧化鋅(MnZnO) 薄膜，作為氮化鎵系發光二極體 (GaN-based LED)之自旋注入層，研究其自旋極化注入 特性與磁光倍增效應，對於在氮化鎵 系發光二極體之影響。外加 0.5T磁場下，摻錳氧 化鋅薄膜的 GaN-based LED在注入電流分別為20mA及 100mA時 ，光輸出 功率提升約 60%與 50% 。且在順向偏壓 3.4V 下，分析其總電流包含注入電流、自旋極化電流及光 離化電流分別為33.71mA 、0.97mA 、0.4mA ，自旋極化電流所佔比例為2.77% ，與EL 光 譜的圓形極化率 2.9%及 PL 光譜的極化率3.6%相符合。證實摻錳氧化鋅薄膜之自旋極 化注入與磁光倍增效應能有效提升 GaN-based LED的發光亮度。 關鍵字： 摻錳氧化鋅 、自旋極化 注入 磁光倍增效應、 。 前言 氮化鎵系發光二極體 (GaN-based LED)目前 為新世紀最具發展潛力的新燈源 ，主要 是藉由載子 (carriers)注入p-n 接面，電子電洞對以發光再結合形式將能量以光放射出/ 。 近來物理學在自旋相依現象的發展及其許多極具潛力的應用性，全世界自旋電子學的相 關研究正如火如荼的展開中 [1] 。自旋電子學(Spintronics)即是希望結合電子電荷與電 子 自旋來增加使用上的維度，利用自旋的方向和自旋偶合為基礎，取代利用電荷的方式。 而結合電特性、光特性及磁特性等多種功能，更能夠有效地提升在元件製造上的整合 性。因此，結合磁學與電子學兩大領域的自旋電子學以及自旋電子元件的應用，將會是 未來發展的研究方向[2] 。氧化鋅 (ZnO)為具有直接能隙的半導體，其能隙為 3.37eV寬能 隙材料，及高激子束縛能(exciton binding energy ，約60meV) ，是近年來相當熱門的光電 元件材料，因此可應用在光電元件上[3-8] 。根據Dietl 等人之理論預測，將Mn 摻入ZnO 、 GaN 等半導體中，將可能成