应用在矩阵变换器上的低损耗1200V逆阻型IGBT.docxVIP

应用在矩阵变换器上的低损耗1200V逆阻型IGBT摘要本文第一次提出应用在矩阵变换器上的隔离型1200VRB-IGBT的设计理念。该器件具有薄晶圆技术和深硼扩散技术。实验结果表明该1200V RB-IGBT与IGBT和二极管的组合相比总损耗减少大约20％，同时用双极性提高阻断能力。可以通过使用RB-IGBT实现高效率矩阵转换器，并且有很大的可能性可以取代现有的DC-连接型电路。介绍多年来，DC-连接型AC-AC变换器已被用于电机驱动器、机器人等各种应用。三相到三相矩阵变换器由九个双向开关组成，AC变换器的输入电压直接转换为AC输出电压，如图1所示。该矩阵转换器消除了对直流电容的需求。矩阵变换器的这个主要优点实现了免维护、寿命长和几乎大小变小50％，与DC-连接型AC-AC转换器和电力转换系统相比较。传统和新开发的双向开关在图2中进行了比较。传统的双向开关由两个IGBT和两个二极管反并联而成，如图2（a）所示。二极管被串联连接以提供反向阻断能力。另一方面，新开发的双向开关没有二极管，而是使用两个逆阻型IGBT，如图2（b）所示。我们可以通过在双向开关中使用RB-IGBT来降低通态压降。作者介绍了1200V RB-IGBT的先进的设计理念，使用超薄晶圆技术，实现了良好的平衡性能[2]。本文介绍了设计理念和1200V RB-IGBT的实验结果，这是通过采用深硼扩散技术和薄晶圆技术首次研制