外延生长3C-SiC的缺陷研究.docVIP

外延生长3C-SiC的缺陷研究 摘要SiC是一种具有广阔应用前景的宽禁带半导体材料，具有高的饱和电子漂移速率、高的热导率、高的临界击穿电场强度等特点。本利用透射电子显微镜，对以4H-SiC晶体为衬底，利用化学气相沉积法外延生长的3C-SiC薄膜进行微观结构分析。 利用聚焦离子束系统与扫描电镜结合的双束系统，运用ldquo;取出法rdquo;制备质量较高的透射电镜横截面样品；对试样进行透射电镜衍衬成像分析，观察层错的形态并初步分析层错的成因；对试样进行高分辨成像观察，分析层错的类型，观察外延层与基底的衔接情况。11442 关键词3C-SiC透射电镜衍射衬度层错缺陷 毕业设计说明书（论文）外文摘要 TitleAn investigation on defects in 3C-SiC epitaxiallayer Abstract Silicon carbide (SiC) has broad application prospect. It is one of the wide bandgap semiconductor materials with high saturated electronic drift rate, good thermal conductivity, high critical breakdown electric field strength and other critical characteristic. In this paper we used transmission electron microscope to analysis the microstructure of the 3C-SiC epitaxial layer with 4H-SiC crystal as underlay and using chemical vapor deposition to prepare. At first, we took advantage of double beam system, which including focused ion beam system and scanning electron microscope, and used ldquo;lift outrdquo; process to prepare high quality cross-sectional sample. Then applied diffraction contrast imaging to observe the defects and preliminary analysis the cause of stacking. At last conducted high resolution imaging to analysis the type of stacking fault and consistency of 4H basement and 3C-SiC layer. 20世纪初，Acheson用细棒插入熔化的C和硅铝矿中，并在细棒中通入高流量气体，发现在细棒周围生成了SiC单晶[3]。这是SiC材料制备的最早方法。1955年，Lely通过升华再结晶工艺制备SiC单晶。1978年，Taivor等人在Lely法的基础上进行改进，形成了可用来生长大尺寸、单一晶体结构的PVT法。但无论是Lely法还是PVT法生长的单晶体几乎都是4H、6H-SiC。由于从3C-SiC向 -SiC 转变的相变温度远低于升华法的合理生长温度，使得3C-SiC的大尺寸晶锭生长十分困难，采用升华法仅能成功制备 -SiC，至今尚无真正意义上的商用3C-SiC晶片供应市场。所以，3C-SiC制备发展出多种外延生长方法[2]，[4]。 目前采用Si作为3C-SiC外延生长的衬底被广泛研究，然而Si衬底异质外延由于存在热膨胀失配和晶格失配，缺陷密度和残余应力（特别是在界面处）都较大[5]。采用4H、6H-SiC作为衬底可以加以改善，但价格昂贵。 1.1碳化硅的晶体结构 SiC是一种IV-IV族化合物半导体材料，晶体的基本结构单元是Si-C四面体，每个碳原子的周围有四个Si原子，反之亦然，相邻两个正四面体共用顶角上的一个原子，在不同物理化学环境下能形成不同的晶体结构（同素异构）。目前已经发现的SiC同素异构有250多种。在SiC的结构表示方法中，数字代表周期性次序中面的数目，字母通常用C（cubic）、H（hexagunal）、R（rhombus）分别表示立方、六方和三方晶格结构。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 -SiC；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有