mocvd生长高al组分algan材料研究 study of algan materials with high al fraction grown by mocvd.pdfVIP

纳米材料与结构 刘 波，袁凤坡，尹甲运，刘英斌，冯 震，冯志宏 (专用集成电路国家级重点实验室，石家庄050051) 摘要：报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、 AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件，如生长温度、生长压力及V／Ⅲ比等， 描曲线半高宽为240”；使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5 ptm×5ptm区域的表面平整度进行 了表征，AlN外延膜的粗糙度(R。)为8．484nm，魅．6Ga0．．N外延膜的粗糙度为1．104rim；透射 nm和266am，且都非常陡峭。 光谱测试显示AlN和A10．。Gao．。N吸收带边分别为205 关键词：AlGaNI金属有机化学气相淀积；X射线衍射；原子力显微镜；透射光谱 AI MOC